LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Driver Intégré avec Protection

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN avec pilote et protection intégrés

Caractéristiques
• TIGaNProcess qualifié par accéléré
Fiabilité en application, commutation dure, mission
Profils
• Permet des conceptions de conversion de puissance haute densité – Performances système supérieures par rapport aux cascodes
ou FETs GaN autonomes – Boîtier QFN 8 mm x 8 mm à faible inductance pour
facilité de conception et de routage – Force de commande réglable pour la commutation
Performances et contrôle EMI – Signal de sortie d'état de défaut numérique – Alimentation non régulée de +12 V uniquement nécessaire
• Driver de grille intégré – Inductance de source commune nulle – Délai de propagation de 20 ns pour fonctionnement à MHz – Tension de polarisation de grille accordée au processus pour la fiabilité – Vitesse de balayage réglable par l'utilisateur de 25 à 100 V/ns
• Protection robuste – Ne nécessite aucun composant de protection externe – Protection contre les surintensités avec<100ns Response–>Immunité à la vitesse de balayage de 150 V/ns – Immunité aux surtensions transitoires – Protection contre les surchauffes – Protection UVLO sur tous les rails d'alimentation
• Options de périphérique : – LMG3410R070 : surintensité verrouillée
Protection – LMG3411R070 : surintensité cycle par cycle
Protection

 Applications
• Alimentations industrielles et grand public haute densité
Alimentations
• Convertisseurs multi-niveaux
• Onduleurs solaires
• Entraînements de moteurs industriels
• Alimentations sans interruption
• Chargeurs de batterie haute tension

Description
L'étage de puissance GaN LMG341xR070 avec pilote
intégré et protection permet aux concepteurs d'atteindre
de nouveaux niveaux de densité de puissance et d'efficacité dans les systèmes
électroniques de puissance. Les avantages inhérents du LMG341x
par rapport aux MOSFET en silicium comprennent une capacité d'entrée
et de sortie ultra-faible, une récupération inverse nulle
pour réduire les pertes de commutation jusqu'à 80 %, et
une faible oscillation du nœud de commutation pour réduire les EMI.
Ces avantages permettent des topologies denses et efficaces comme
le PFC totem-pole.
Le LMG341xR070 offre une alternative intelligente aux
FETs GaN cascodes traditionnels et aux FETs GaN autonomes
en intégrant un ensemble unique de fonctionnalités pour simplifier
la conception, maximiser la fiabilité et optimiser les
performances de toute alimentation. Le driver de grille intégré
permet une commutation de 100 V/ns avec une oscillation Vds quasi nulle,
événements de court-circuit involontaires, l'arrêt en cas de surchauffe<100 ns current limiting self-protects against
empêche l'emballement thermique, et les signaux d'interface système
fournissent une capacité d'auto-surveillance.