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उत्पादों का विवरण

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टीआई चिप्स
Created with Pixso.

LMG3410R070RWHR TI चिप्स LMG341xR070 600V 70mΩ GaN इंटीग्रेटेड ड्राइवर प्रोटेक्शन

LMG3410R070RWHR TI चिप्स LMG341xR070 600V 70mΩ GaN इंटीग्रेटेड ड्राइवर प्रोटेक्शन

ब्रांड का नाम: TI Chips
मॉडल नंबर: एलएमजी3410R070RWHR
MOQ: 2000
पैकेजिंग विवरण: 2000pcs/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
प्रोडक्ट का नाम:
टीआई चिप्स
नमूना:
एलएमजी3410R070RWHR
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
प्रचालन बिजली आपूर्ति वोल्टेज:
12 वी
कैप्सूलीकरण:
रील
आउटपुट की संख्या:
1 आउटपुट
आपूर्ति की क्षमता:
1000000
प्रमुखता देना:

LMG3410R070RWHR GaN ड्राइवर

,

TI चिप्स इंटीग्रेटेड GaN ड्राइवर

,

600V GaN ड्राइवर

उत्पाद वर्णन

TI चिप्स LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ एकीकृत ड्राइवर और सुरक्षा के साथ GaN


विशेषताएं
• TIGaNProcess त्वरित के माध्यम से योग्य
विश्वसनीयता इन-एप्लीकेशन हार्ड-स्विचिंग मिशन
प्रोफाइल
• उच्च घनत्व पावर रूपांतरण डिजाइन को सक्षम बनाता है - कैस्कोड पर बेहतर सिस्टम प्रदर्शन
या स्टैंड-अलोन GaN FETs - कम-प्रेरक 8mm x 8mm QFN पैकेज
डिजाइन, और लेआउट में आसानी - स्विचिंग के लिए समायोज्य ड्राइव शक्ति
प्रदर्शन और ईएमआई नियंत्रण - डिजिटल फॉल्ट स्टेटस आउटपुट सिग्नल - केवल +12 V अनियंत्रित आपूर्ति की आवश्यकता है
• एकीकृत गेट ड्राइवर - शून्य सामान्य स्रोत प्रेरण
MHz ऑपरेशन के लिए 20ns प्रसार विलंब - विश्वसनीयता के लिए प्रक्रिया-ट्यून गेट बायस वोल्टेज<100ns Response–>25 से 100V/ns उपयोगकर्ता समायोज्य स्लीव दर
• मजबूत सुरक्षा - किसी भी बाहरी सुरक्षा घटकों की आवश्यकता नहीं है
150V/ns स्लीव दर प्रतिरक्षा के साथ ओवर-करंट सुरक्षा
क्षणिक ओवरवोल्टेज प्रतिरक्षा - ओवरटेम्परेचर सुरक्षा - सभी आपूर्ति रेल पर यूवीएलओ सुरक्षा


 • डिवाइस विकल्प: - LMG3410R070: लैच्ड ओवरकरंट
सुरक्षा - LMG3411R070: साइकिल-बाय-साइकिल ओवरकरंट
सुरक्षा
अनुप्रयोग
• उच्च घनत्व औद्योगिक और उपभोक्ता शक्ति
आपूर्ति
• मल्टी-लेवल कन्वर्टर्स
• सौर इन्वर्टर


• औद्योगिक मोटर ड्राइव
• निर्बाध बिजली की आपूर्ति
• उच्च वोल्टेज बैटरी चार्जर
विवरण
एकीकृत ड्राइवर और सुरक्षा के साथ LMG341xR070 GaN पावर स्टेज
डिजाइनरों को शक्ति में शक्ति घनत्व और दक्षता के नए स्तर प्राप्त करने में सक्षम बनाता है
इलेक्ट्रॉनिक्स सिस्टम। LMG341x के अंतर्निहित
सिलिकॉन MOSFETs पर फायदे में अल्ट्रा-लो शामिल हैं
इनपुट और आउटपुट कैपेसिटेंस, शून्य रिवर्स रिकवरी
स्विचिंग हानियों को 80% तक कम करने के लिए, और
ईएमआई को कम करने के लिए कम स्विच नोड रिंगिंग। ये
फायदे सघन और कुशल टोपोलॉजी जैसे सक्षम करते हैं
टोटेम-पोल पीएफसी।
LMG341xR070 पारंपरिक कैस्कोड GaN और स्टैंडअलोन GaN FETs का एक स्मार्ट विकल्प प्रदान करता है
डिजाइन को सरल बनाने के लिए सुविधाओं के एक अद्वितीय सेट को एकीकृत करके
विश्वसनीयता को अधिकतम करें और अनुकूलित करें
किसी भी बिजली आपूर्ति का प्रदर्शन। एकीकृत गेट
ड्राइव लगभग शून्य Vds के साथ 100V/ns स्विचिंग को सक्षम बनाता है<100 ns current limiting self-protects against
रिंगिंग, अनपेक्षित शूट-थ्रू घटनाएं, ओवरटेम्परेचर
शटडाउन थर्मल रनवे को रोकता है, और सिस्टम
इंटरफ़ेस सिग्नल स्व-निगरानी क्षमता प्रदान करते हैं।


LMG3410R070RWHR TI चिप्स LMG341xR070 600V 70mΩ GaN इंटीग्रेटेड ड्राइवर प्रोटेक्शन


LMG3410R070RWHR TI चिप्स LMG341xR070 600V 70mΩ GaN इंटीग्रेटेड ड्राइवर प्रोटेक्शन

LMG3410R070RWHR TI चिप्स LMG341xR070 600V 70mΩ GaN इंटीग्रेटेड ड्राइवर प्रोटेक्शन