TI चिप्स INA121U/2K5 FET-इनपुट, लो पावर इंस्ट्रूमेंटेशन एम्पलीफायर
विशेषताएं
● कम बायस करंट: 4pA
● कम शांत करंट: 450A
● कम इनपुट ऑफसेट वोल्टेज: V
● कम इनपुट ऑफसेट ड्रिफ्ट: C
● कम इनपुट शोर:
20nV/√Hz at f = 1kHz (G =100)
● उच्च CMR: 106dB
● वाइड सप्लाई रेंज: 2.25V to 18V
● कम नॉनलाइनियरिटी एरर: 0.001% max
● इनपुट प्रोटेक्शन to 40V
● 8-पिन DIP और SO-8 सरफेस माउंट
अनुप्रयोग
● लो-लेवल ट्रांसड्यूसर एम्पलीफायर्स
ब्रिज, आरटीडी, थर्मोकपल
● फिजियोलॉजिकल एम्पलीफायर्स
ईसीजी, ईईजी, ईएमजी, श्वसन
● उच्च प्रतिबाधा ट्रांसड्यूसर
● कैपेसिटिव सेंसर
● मल्टी-चैनल डेटा अधिग्रहण
● पोर्टेबल, बैटरी संचालित सिस्टम
● सामान्य प्रयोजन इंस्ट्रूमेंटेशन
विवरण
INA121 एक FET-इनपुट, लो पावर इंस्ट्रूमेंटेशन एम्पलीफायर है जो उत्कृष्ट सटीकता प्रदान करता है। इसका बहुमुखी तीन-ऑप-एम्प डिज़ाइन और बहुत छोटा आकार इसे विभिन्न सामान्य प्रयोजन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है। कम बायस करंट (±4pA) उच्च प्रतिबाधा स्रोतों के साथ उपयोग की अनुमति देता है।
गेन को एक सिंगल एक्सटर्नल रेसिस्टर से 1V से 10,000V/V तक सेट किया जा सकता है। आंतरिक इनपुट प्रोटेक्शन बिना नुकसान के ±40V तक का सामना कर सकता है।
INA121 बहुत कम ऑफसेट वोल्टेज (±200µV), कम ऑफसेट ड्रिफ्ट (±2µV/°C), और उच्च कॉमन-मोड रिजेक्शन (106dB at G = 100) के लिए लेजर-ट्रिम किया गया है। यह ±2.25V (+4.5V) जितनी कम पावर सप्लाई पर काम करता है, जिससे बैटरी संचालित और सिंगल 5V सिस्टम में उपयोग की अनुमति मिलती है। शांत करंट केवल 450µA है।
पैकेज विकल्पों में 8-पिन प्लास्टिक DIP और SO-8 सरफेस माउंट शामिल हैं। सभी -40°C से +85°C औद्योगिक तापमान रेंज के लिए निर्दिष्ट हैं।