รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

INA121U / 2K5 TI ชิป FET Input Low Power Instrumentation Amplifier 4pA Bias Current ปริมาณกระแสกระแสกระแสกระแส 4pA

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

INA121U / 2K5 TI ชิป FET Input Low Power Instrumentation Amplifier 4pA Bias Current ปริมาณกระแสกระแสกระแสกระแส 4pA

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	ไอเอ็นเอ121U/2K5
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

แบบอย่าง:

ไอเอ็นเอ121U/2K5

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

แบนด์วิดธ์ 3dB:

50 กิโลเฮิรตซ์

อัตราการฆ่า:

700 มิลลิโวลต์/us

ป้อนกระแสอคติ:

50 พีเอ

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

INA121U/2K5 เครื่องเสริมเสียงเครื่องมือ

ชิป TI แอมพลิเฟอเรอร์พลังงานต่ํา

เครื่องเสริมเสียงเครื่องมือ 4pA

รายละเอียดสินค้า

TI Chips INA121U/2K5 FET-Input, Low Power INSTRUMENTATION AMPLIFIER

คุณสมบัติ

● กระแสไบอัสต่ำ: °4pA

● กระแสสงบต่ำ: °450CA

● แรงดันออฟเซ็ตอินพุตต่ำ: °V/CV

● การดริฟต์ออฟเซ็ตอินพุตต่ำ: °±Cทำให้สามารถใช้ในระบบที่ใช้แบตเตอรี่และระบบ 5V เดี่ยวได้ กระแสสงบเพียง 450C

● สัญญาณรบกวนอินพุตต่ำ:

20nV/√Hz ที่ f = 1kHz (G =100)

● CMR สูง: 106dB

● ช่วงแรงดันไฟเลี้ยงกว้าง: °2.25V ถึง °18V

● ข้อผิดพลาดความไม่เป็นเชิงเส้นต่ำ: 0.001% สูงสุด

● การป้องกันอินพุตถึง °40V

● 8-PIN DIP และ SO-8 SURFACE MOUNT

การใช้งาน

● เครื่องขยายสัญญาณทรานสดิวเซอร์ระดับต่ำ

Bridge, RTD, Thermocouple

● เครื่องขยายสัญญาณสรีรวิทยา

ECG, EEG, EMG, ระบบทางเดินหายใจ

● ทรานสดิวเซอร์อิมพีแดนซ์สูง

● เซ็นเซอร์คาปาซิทีฟ

● การเก็บข้อมูลหลายช่อง

● ระบบพกพาที่ใช้แบตเตอรี่

● เครื่องมืออเนกประสงค์

คำอธิบาย

INA121 เป็นเครื่องขยายสัญญาณแบบ FET-input, low power instrumenta-

tion amplifier ที่ให้ความแม่นยำสูง การออกแบบสามออปแอมป์ที่หลากหลายและขนาดที่เล็กมากทำให้เหมาะอย่างยิ่ง

สำหรับการใช้งานทั่วไปที่หลากหลาย กระแสไบอัสต่ำ (

4pA) ช่วยให้สามารถใช้กับแหล่งสัญญาณที่มีอิมพีแดนซ์สูงได้ °±

40V โดยไม่เสียหาย

INA121 ได้รับการปรับแต่งด้วยเลเซอร์เพื่อให้มีแรงดันออฟเซ็ตต่ำมาก (

200°V), การดริฟต์ออฟเซ็ตต่ำ (

2°V/CC), และ °±Cทำให้สามารถใช้ในระบบที่ใช้แบตเตอรี่และระบบ 5V เดี่ยวได้ กระแสสงบเพียง 450A

ตัวเลือกแพ็คเกจประกอบด้วย 8-pin plastic DIP และ SO-8

surface mount ทั้งหมดได้รับการระบุสำหรับช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรม –40°C ถึง

+85

°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

INA121U / 2K5 TI ชิป FET Input Low Power Instrumentation Amplifier 4pA Bias Current ปริมาณกระแสกระแสกระแสกระแส 4pA

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI