รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

OPA657N/250 TI ชิป OPA657 1.6 GHz เสียงเสียงต่ํา FET Input Operational Amplifier

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

OPA657N/250 TI ชิป OPA657 1.6 GHz เสียงเสียงต่ํา FET Input Operational Amplifier

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	OPA657N/250
ขั้นต่ำ:	500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	500 ชิ้น / รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

แบบอย่าง:

OPA657N/250

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อัตราการฆ่า:

700 โวลต์/เรา

ป้อนกระแสอคติ:

20 พีเอ

กระแสไฟในการทำงาน:

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

OPA657N/250 OPA657

ชิป TI OPA657

เครื่องขยายการทํางาน FET

รายละเอียดสินค้า

TI Chips OPA657N/250 OPA657 1.6-GHz, Low-Noise, FET-Input Operational Amplifier

คุณสมบัติ

ผลิตภัณฑ์แบนด์วิดท์สูง: 1.6 GHz

แบนด์วิดท์สูง 275 MHz (G = 10)

อัตราการสลู 700 V/μs (G = 10, 1-V Step)

มีเกรดคุณภาพสูงพร้อมคุณสมบัติ DC ที่ปรับปรุงแล้ว

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน: −40°C ถึง 85°C

แรงดันไฟฟ้าออฟเซ็ตอินพุตต่ำ: ±250 μV

กระแสไบอัสอินพุตต่ำ: 2 pA

สัญญาณรบกวนแรงดันอินพุตต่ำ: 4.8 nV/√Hz

กระแสเอาต์พุตสูง: 70 mA

การกู้คืนโอเวอร์ไดรฟ์ที่รวดเร็ว

การใช้งาน

เครื่องขยายสัญญาณโฟโตไดโอดแบนด์วิดท์กว้าง

อุปกรณ์สแกนเวเฟอร์

เครื่องขยายสัญญาณอินพุต ADC

ส่วนหน้าของเครื่องมือวัดและทดสอบ

เครื่องขยายสัญญาณความแม่นยำสูง

การสะท้อนแสงแบบโดเมนเวลา (OTDR)

คำอธิบาย

อุปกรณ์ OPA657 ผสมผสานเครื่องขยายสัญญาณแรงดันไฟฟ้าแบบป้อนกลับที่มีแบนด์วิดท์สูงและมีการบิดเบือนต่ำ เข้ากับ JFET อินพุตที่มีสัญญาณรบกวนแรงดันต่ำ เพื่อให้ได้เครื่องขยายสัญญาณที่มีช่วงไดนามิกสูงสำหรับการขับ ADC (ตัวแปลงอนาล็อกเป็นดิจิทัล) ที่มีความแม่นยำสูง หรือการใช้งานแบบทรานส์อิมพีแดนซ์แบนด์วิดท์กว้าง การใช้งานโฟโตไดโอดจะได้รับประโยชน์จากสัญญาณรบกวนและแบนด์วิดท์ที่ดีขึ้นโดยใช้เครื่องขยายสัญญาณที่มีแบนด์วิดท์สูงและไม่ได้ชดเชยนี้

สัญญาณระดับต่ำมากสามารถขยายได้อย่างมากในขั้นตอนเกน OPA657 เดียวกัน ด้วยแบนด์วิดท์และความแม่นยำที่ยอดเยี่ยม การมีผลิตภัณฑ์แบนด์วิดท์เกนสูงถึง 1.6 GHz ให้แบนด์วิดท์สัญญาณมากกว่า 10 MHz ที่เกนสูงถึง 160 V/V (44 dB) กระแสไบอัสอินพุตและความจุที่ต่ำมากรองรับประสิทธิภาพนี้แม้สำหรับอิมพีแดนซ์แหล่งกำเนิดที่ค่อนข้างสูง

การใช้งานโฟโตดีเทคเตอร์แบนด์วิดท์กว้างได้รับประโยชน์จาก JFET อินพุตที่มีสัญญาณรบกวนแรงดันต่ำของ OPA657 JFET อินพุตแทบไม่มีสัญญาณรบกวนกระแส และสำหรับการใช้งานแบนด์วิดท์กว้าง สัญญาณรบกวนแรงดันต่ำก็เป็นสิ่งจำเป็นเช่นกัน สัญญาณรบกวนแรงดันอินพุตต่ำที่ 4.8 nV/√Hz ให้ความไวอินพุตที่ยอดเยี่ยมสำหรับการใช้งานแบนด์วิดท์ที่สูงขึ้น ตัวอย่างที่แสดงด้านล่างให้กระแสสัญญาณรบกวนอินพุตเทียบเท่าทั้งหมดที่ 1.8 pA/√Hz ในแบนด์วิดท์ 10 MHz

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

OPA657N/250 TI ชิป OPA657 1.6 GHz เสียงเสียงต่ํา FET Input Operational Amplifier

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI