Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

OPA657N/250 TI Чипы OPA657 1,6 ГГц малошумящий операционный усилитель с FET-входом

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

OPA657N/250 TI Чипы OPA657 1,6 ГГц малошумящий операционный усилитель с FET-входом

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	OPA657N/250
минимальный заказ:	500
Детали упаковки:	500pcs/reel
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

модель:

OPA657N/250

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

Степень скорости:

700 В/с

Ток смещения входного сигнала:

20 пА

Рабочий ток источника питания:

14 мамы

Поставка способности:

1000000

Выделить:

OPA657N/250 OPA657

TI Чипы OPA657

Операционный усилитель с FET-входом

Описание продукта

TI Chips OPA657N/250 OPA657 1,6-ГГц, малошумящий операционный усилитель с FET-входом

Особенности

Высокий коэффициент усиления и полосы пропускания: 1,6 ГГц

Высокая полоса пропускания 275 МГц (G = 10)

Скорость нарастания 700 В/мкс (G = 10, шаг 1 В)

Доступен в высококачественном исполнении с улучшенными характеристиками постоянного тока

Диапазон рабочих температур: от -40°C до 85°C

Низкое напряжение смещения на входе: ±250 мкВ

Низкий ток смещения на входе: 2 пА

Низкий уровень шума напряжения на входе: 4,8 нВ/√Гц

Высокий выходной ток: 70 мА

Быстрое восстановление после перегрузки

Применения

Широкополосный усилитель фотодиода

Оборудование для сканирования пластин

Входной усилитель АЦП

Входной каскад измерительного оборудования

Высокоточный усилитель с высоким коэффициентом усиления

Оптическая рефлектометрия во временной области (OTDR)

Описание

Устройство OPA657 сочетает в себе операционный усилитель с высоким коэффициентом усиления и полосы пропускания, низкими искажениями и обратной связью по напряжению с малошумящим JFET-входным каскадом для обеспечения очень высокого динамического диапазона для высокоточного управления АЦП (аналого-цифровым преобразователем) или широкополосных трансимпедансных приложений. В приложениях с фотодиодами достигается улучшенный шум и полоса пропускания с использованием этого некомпенсированного усилителя с высоким коэффициентом усиления и полосы пропускания.

Очень слабые сигналы могут быть значительно усилены в одном каскаде усиления OPA657 с исключительной полосой пропускания и точностью. Высокий коэффициент усиления и полосы пропускания 1,6 ГГц обеспечивает полосу пропускания сигнала более 10 МГц при коэффициентах усиления до 160 В/В (44 дБ). Очень низкий ток смещения на входе и емкость поддерживают эту производительность даже при относительно высоких импедансах источника.

Широкополосные фотодетекторные приложения выигрывают от малошумящих JFET-входов OPA657. JFET-вход практически не вносит шумового тока, в то время как для широкополосных приложений также требуется низкий уровень шума напряжения. Низкий уровень шума напряжения на входе 4,8 нВ/√Гц обеспечивает исключительную чувствительность на входе для приложений с более высокой полосой пропускания. Пример, показанный ниже, дает общий эквивалентный шумовой ток на входе 1,8 пА/√Гц в полосе пропускания 10 МГц.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

OPA657N/250 TI Чипы OPA657 1,6 ГГц малошумящий операционный усилитель с FET-входом

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI