TI Chips OPA657N/250 OPA657 1.6-GHz, Low-Noise, FET-Input Operational Amplifier
বৈশিষ্ট্য
উচ্চ গেইন ব্যান্ডউইথ প্রোডাক্ট: 1.6 GHz
উচ্চ ব্যান্ডউইথ 275 MHz (G = 10)
স্লেউ রেট 700 V/μs (G = 10, 1-V স্টেপ)
উন্নত ডিসি স্পেসিফিকেশন সহ হাই গ্রেডে উপলব্ধ
অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা: −40°C থেকে 85°C
নিম্ন-ইনপুট অফসেট ভোল্টেজ: ±250 μV
নিম্ন-ইনপুট বায়াস কারেন্ট: 2 pA
নিম্ন-ইনপুট ভোল্টেজ নয়েজ: 4.8 nV/√Hz
উচ্চ-আউটপুট কারেন্ট: 70 mA
দ্রুত ওভারড্রাইভ রিকভারি
অ্যাপ্লিকেশন
ওয়াইডব্যান্ড ফটোডায়োড অ্যামপ্লিফায়ার
ওয়েফার স্ক্যানিং সরঞ্জাম
ADC ইনপুট অ্যামপ্লিফায়ার
টেস্ট এবং মেজারমেন্ট ফ্রন্ট এন্ড
হাই গেইন প্রিসিশন অ্যামপ্লিফায়ার
অপটিক্যাল টাইম ডোমেন রিফ্লেক্টোমেট্রি (OTDR)
বিবরণ
OPA657 ডিভাইসটি একটি উচ্চ-গেইন ব্যান্ডউইথ, কম-ডিস্টরশন, ভোল্টেজ-ফিডব্যাক অপারেশনাল অ্যামপ্লিফায়ারকে একটি লো-ভোল্টেজ নয়েজ JFET-ইনপুট স্টেজ সহ একত্রিত করে যা উচ্চ-প্রিসিশন ADC (অ্যানালগ-টু-ডিজিটাল কনভার্টার) ড্রাইভিং বা ওয়াইডব্যান্ড ট্রান্সইম্পিডেন্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি খুব উচ্চ ডাইনামিক রেঞ্জ অ্যামপ্লিফায়ার সরবরাহ করে। ফটোডায়োড অ্যাপ্লিকেশনগুলি এই ডিকম্পেনসেটেড, হাই-গেইন ব্যান্ডউইথ অ্যামপ্লিফায়ার ব্যবহার করে উন্নত নয়েজ এবং ব্যান্ডউইথ দেখতে পায়।
খুব কম স্তরের সংকেতগুলি ব্যতিক্রমী ব্যান্ডউইথ এবং নির্ভুলতার সাথে একটি একক OPA657 গেইন স্টেজে উল্লেখযোগ্যভাবে পরিবর্ধিত করা যেতে পারে। একটি উচ্চ 1.6-GHz গেইন ব্যান্ডউইথ প্রোডাক্ট থাকা 160 V/V (44 dB) পর্যন্ত গেইনগুলিতে 10-MHz সিগন্যাল ব্যান্ডউইথ সরবরাহ করে। খুব কম ইনপুট বায়াস কারেন্ট এবং ক্যাপাসিট্যান্স তুলনামূলকভাবে উচ্চ উৎস ইম্পিডেন্সের জন্যও এই কর্মক্ষমতা সমর্থন করে।
ব্রডব্যান্ড ফটোডিটেক্টর অ্যাপ্লিকেশনগুলি OPA657 এর জন্য লো-ভোল্টেজ নয়েজ JFET ইনপুট থেকে উপকৃত হয়। JFET ইনপুট কার্যত কোনও কারেন্ট নয়েজ তৈরি করে না যখন ব্রডব্যান্ড অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য, একটি কম ভোল্টেজ নয়েজও প্রয়োজন। কম 4.8 nV/√Hz ইনপুট ভোল্টেজ নয়েজ উচ্চতর ব্যান্ডউইথ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ব্যতিক্রমী ইনপুট সংবেদনশীলতা সরবরাহ করে। নীচের উদাহরণটি 10-MHz ব্যান্ডউইথের উপর 1.8 pA/√Hz এর মোট সমতুল্য ইনপুট কারেন্ট নয়েজ দেখায়।