تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق تي آي

OPA657N/250 TI شرائح OPA657 1.6 جيجا هرتز ضوضاء منخفضة FET مدخل مضخم عملياتي

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

OPA657N/250 TI شرائح OPA657 1.6 جيجا هرتز ضوضاء منخفضة FET مدخل مضخم عملياتي

اسم العلامة التجارية:	TI Chips
رقم الموديل:	OPA657N/250
موك:	500
تفاصيل التغليف:	500 قطعة / بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

نموذج:

OPA657N/250

اسم المنتج:

رقائق تي آي

يكتب:

سمد/سمت

معدل الانحراف:

700 فولت/لنا

مدخلات التحيز الحالي:

20 باسكال

تشغيل التيار الكهربائي:

14 مللي أمبير

القدرة على العرض:

1000000

إبراز:

OPA657N/250 OPA657

شرائح TI OPA657

مضخم عملياتي بمدخل FET

وصف المنتج

رقائق TI OPA657N/250 OPA657 1.6 جيجاهرتز، منخفض الضوضاء، مضخم عملياتي بمدخل FET

الميزات

منتج عرض نطاق ترددي عالي الكسب: 1.6 جيجاهرتز

عرض نطاق ترددي عالي 275 ميجاهرتز (كسب = 10)

معدل الانحراف 700 فولت/ميكروثانية (كسب = 10، خطوة 1 فولت)

متوفر بدرجة عالية مع مواصفات DC محسنة

نطاق درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية إلى 85 درجة مئوية

جهد إزاحة الدخل المنخفض: ±250 ميكروفولت

تيار انحياز الدخل المنخفض: 2 بيكو أمبير

ضوضاء جهد الدخل المنخفض: 4.8 نانوفولت/جذر هرتز

تيار الخرج العالي: 70 مللي أمبير

استعادة تجاوز سريعة

التطبيقات

مضخم ضوئي واسع النطاق

معدات مسح الألواح

مضخم دخل ADC

واجهة قياس واختبار

مضخم دقة عالي الكسب

الانعكاس الزمني الضوئي (OTDR)

الوصف

يجمع جهاز OPA657 بين مضخم عملياتي بجهد تغذية ذي عرض نطاق ترددي عالي الكسب وتشوه منخفض مع مرحلة دخل JFET ذات ضوضاء جهد منخفض لتقديم مضخم ذي نطاق ديناميكي عالٍ جدًا لتطبيقات قيادة ADC (محول تناظري إلى رقمي) عالية الدقة أو تطبيقات تحويل التيار إلى جهد واسعة النطاق. ترى تطبيقات الفوتوديود ضوضاء وعرض نطاق ترددي محسنين باستخدام هذا المضخم ذي الكسب العالي غير المعوض.

يمكن تضخيم الإشارات ذات المستوى المنخفض جدًا بشكل كبير في مرحلة كسب OPA657 واحدة بعرض نطاق ترددي ودقة استثنائيين. يمنح منتج عرض النطاق الترددي للكسب العالي البالغ 1.6 جيجاهرتز نطاقات تردد إشارة تزيد عن 10 ميجاهرتز عند كسب يصل إلى 160 فولت/فولت (44 ديسيبل). يدعم تيار انحياز الدخل المنخفض جدًا وسعته هذا الأداء حتى مع معاوقات المصدر العالية نسبيًا.

تستفيد تطبيقات الكشف الضوئي واسعة النطاق من مدخلات JFET ذات ضوضاء الجهد المنخفض لجهاز OPA657. تساهم مدخلات JFET تقريبًا في عدم وجود ضوضاء تيار، وفي حين أنه بالنسبة للتطبيقات واسعة النطاق، يلزم أيضًا وجود ضوضاء جهد منخفضة. توفر ضوضاء جهد الدخل المنخفضة البالغة 4.8 نانوفولت/جذر هرتز حساسية دخل استثنائية للتطبيقات ذات عرض النطاق الترددي الأعلى. يعطي المثال الموضح أدناه تيار ضوضاء دخل مكافئ إجمالي قدره 1.8 بيكو أمبير/جذر هرتز عبر عرض نطاق ترددي يبلغ 10 ميجاهرتز.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

OPA657N/250 TI شرائح OPA657 1.6 جيجا هرتز ضوضاء منخفضة FET مدخل مضخم عملياتي

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي