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टीआई चिप्स

ओपीए657एन/250 टीआई चिप्स ओपीए657 1.6 गीगाहर्ट्ज लो नॉइज़ फेट इनपुट ऑपरेशनल एम्पलीफायर

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ओपीए657एन/250 टीआई चिप्स ओपीए657 1.6 गीगाहर्ट्ज लो नॉइज़ फेट इनपुट ऑपरेशनल एम्पलीफायर

ब्रांड का नाम:	TI Chips
मॉडल नंबर:	OPA657N/250
MOQ:	500
पैकेजिंग विवरण:	500 पीसी / रील
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

नमूना:

OPA657N/250

प्रोडक्ट का नाम:

टीआई चिप्स

प्रकार:

एसएमडी/एसएमटी

परिवर्तन दर:

700 वी/यूएस

इनपुट बायस करंट:

20 पीए

ऑपरेटिंग बिजली आपूर्ति वर्तमान:

14 एमए

आपूर्ति की क्षमता:

1000000

प्रमुखता देना:

ओपीए657एन/250 ओपीए657

टीआई चिप्स ओपीए657

फेट इनपुट ऑपरेशनल एम्पलीफायर

उत्पाद वर्णन

TI चिप्स OPA657N/250 OPA657 1.6-GHz, लो-नॉइज़, FET-इनपुट ऑपरेशनल एम्पलीफायर

विशेषताएं

उच्च गेन बैंडविड्थ उत्पाद: 1.6 GHz

उच्च बैंडविड्थ 275 MHz (G = 10)

स्ल्यू रेट 700 V/μs (G = 10, 1-V स्टेप)

बेहतर DC विनिर्देशों के साथ उच्च ग्रेड में उपलब्ध

ऑपरेटिंग तापमान रेंज: −40°C से 85°C

कम-इनपुट ऑफसेट वोल्टेज: ±250 μV

कम-इनपुट बायस करंट: 2 pA

कम-इनपुट वोल्टेज नॉइज़: 4.8 nV/√Hz

उच्च-आउटपुट करंट: 70 mA

तेज़ ओवरड्राइव रिकवरी

अनुप्रयोग

वाइडबैंड फोटोडायोड एम्पलीफायर

वेफर स्कैनिंग उपकरण

ADC इनपुट एम्पलीफायर

टेस्ट और मापन फ्रंट एंड

उच्च गेन प्रिसिजन एम्पलीफायर

ऑप्टिकल टाइम डोमेन रिफ्लेक्टोमेट्री (OTDR)

विवरण

OPA657 डिवाइस एक उच्च-गेन बैंडविड्थ, कम-डिस्टॉर्शन, वोल्टेज-फीडबैक ऑपरेशनल एम्पलीफायर को कम-वोल्टेज नॉइज़ JFET-इनपुट स्टेज के साथ जोड़ता है ताकि उच्च-प्रिसिजन ADC (एनालॉग-टू-डिजिटल कनवर्टर) ड्राइविंग या वाइडबैंड ट्रांसइम्पीडेंस अनुप्रयोगों के लिए एक बहुत उच्च डायनामिक रेंज एम्पलीफायर पेश किया जा सके। फोटोडायोड अनुप्रयोग इस डीकंपेंसेटेड, उच्च-गेन बैंडविड्थ एम्पलीफायर का उपयोग करके बेहतर नॉइज़ और बैंडविड्थ देखते हैं।

बहुत कम स्तर के सिग्नल को असाधारण बैंडविड्थ और सटीकता के साथ एकल OPA657 गेन स्टेज में महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाया जा सकता है। 1.6-GHz गेन बैंडविड्थ उत्पाद होने से 160 V/V (44 dB) तक के गेन पर 10-MHz से अधिक सिग्नल बैंडविड्थ प्राप्त होती है। बहुत कम इनपुट बायस करंट और कैपेसिटेंस अपेक्षाकृत उच्च स्रोत प्रतिबाधाओं के लिए भी इस प्रदर्शन का समर्थन करते हैं।

ब्रॉडबैंड फोटोडिटेक्टर अनुप्रयोग OPA657 के लिए कम-वोल्टेज नॉइज़ JFET इनपुट से लाभान्वित होते हैं। JFET इनपुट लगभग कोई करंट नॉइज़ नहीं जोड़ता है जबकि ब्रॉडबैंड अनुप्रयोगों के लिए, कम वोल्टेज नॉइज़ भी आवश्यक है। कम 4.8 nV/√Hz इनपुट वोल्टेज नॉइज़ उच्च बैंडविड्थ अनुप्रयोगों के लिए असाधारण इनपुट संवेदनशीलता प्रदान करता है। नीचे दिखाया गया उदाहरण 10-MHz बैंडविड्थ पर 1.8 pA/√Hz का कुल समतुल्य इनपुट करंट नॉइज़ देता है।

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