logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chipsy TI
Created with Pixso.

INA121U/2K5 TI Chips Wzmacniacz Instrumentalny o Niskim Poborze Mocy z Wejściem FET 4pA Prądu Obciążenia

INA121U/2K5 TI Chips Wzmacniacz Instrumentalny o Niskim Poborze Mocy z Wejściem FET 4pA Prądu Obciążenia

Nazwa marki: TI Chips
Numer modelu: INA121U/2K5
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Nazwa produktu:
Chipsy TI
model:
INA121U/2K5
Typ:
SMD/SMT
Szerokość pasma 3dB:
50kHz
Szybkość narastania:
700 mV/us
Wejściowy prąd polaryzacji:
50 pA
Możliwość Supply:
1000000
Podkreślić:

INA121U/2K5 Wzmacniacz Instrumentalny

,

TI Chips Wzmacniacz Niskiego Poboru Mocy

,

Wzmacniacz Instrumentalny 4pA

Opis produktu

TI Chips INA121U/2K5 Wzmacniacz instrumentalny FET-Input, Low Power


CECHY
● NISKI PRĄD BIASOWY: °4pA
● NISKI PRĄD SPOCZYNKOWY: °450A
● NISKIE NAPIĘCIE OFFSETU WEJŚCIOWEGO: °C) i wysokiego tłumienia sygnału współbieżnego (106dB przy G = 100). Działa na zasilaczach o napięciu już od V
● NISKI DRYF OFFSETU WEJŚCIOWEGO: °µOpcje obudowy obejmują 8-pinowy plastikowy DIP i SO-8 C
● NISKI SZUM WEJŚCIOWY:
20nV/√Hz przy f = 1kHz (G =100)
● WYSOKI CMR: 106dB
● SZEROKI ZAKRES ZASILANIA: °2.25V do °18V
● NISKI BŁĄD NIELINIOWOŚCI: 0.001% maks.
● ZABEZPIECZENIE WEJŚCIA DO °40V
● 8-PINOWY DIP I SO-8 DO MONTAŻU POWIERZCHNIOWEGO

APLIKACJE
● WZMACNIACZE NISKICH POZIOMÓW PRZETWORNIKÓW
Mostek, RTD, Termopara
● WZMACNIACZE FIZJOLOGICZNE
EKG, EEG, EMG, Oddechowe
● PRZETWORNIKI WYSOKOIMPEDANCYJNE
● CZUJNIKI POJEMNOŚCIOWE
● WIELOKANAŁOWE ZBIERANIE DANYCH
● PRZENOŚNE SYSTEMY ZASILANE BATERIAMI
● OGÓLNEGO PRZEZNACZENIA INSTRUMENTACJA

OPIS
INA121 to wzmacniacz instrumentalny o niskim poborze mocy i wejściu FET, oferujący doskonałą dokładność. Jego wszechstronna konstrukcja z trzema wzmacniaczami operacyjnymi i bardzo mały rozmiar sprawiają, że idealnie nadaje się do różnorodnych zastosowań ogólnego przeznaczenia. Niski prąd biasowy (
±
4pA) pozwala na użycie z źródłami o wysokiej impedancji.
Wzmocnienie można ustawić od 1V do 10 000V/V za pomocą jednego zewnętrznego rezystora. Wewnętrzne zabezpieczenie wejściowe wytrzymuje do
±°INA121 jest przycinany laserowo dla bardzo niskiego napięcia offsetu (
±
200
µ
V), niskiego dryfu offsetu (°2
µ
V/°C) i wysokiego tłumienia sygnału współbieżnego (106dB przy G = 100). Działa na zasilaczach o napięciu już od 2.25V (+4.5V), °µOpcje obudowy obejmują 8-pinowy plastikowy DIP i SO-8 °
C do
+85°C.