logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
chip TI
Created with Pixso.

LMG3410R070RWHR TI Chip LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Bảo vệ trình điều khiển tích hợp

LMG3410R070RWHR TI Chip LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Bảo vệ trình điều khiển tích hợp

Tên thương hiệu: TI Chips
Số mô hình: LMG3410R070RWHR
MOQ: 2000
Chi tiết đóng gói: 2000pcs/reel
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
Tên sản phẩm:
chip TI
người mẫu:
LMG3410R070RWHR
Kiểu:
SMD/SMT
Điện áp cung cấp năng lượng hoạt động:
12 V
Đóng gói:
cuộn
Số lượng đầu ra:
1 đầu ra
Khả năng cung cấp:
1000000
Làm nổi bật:

LMG3410R070RWHR GaN Tài xế

,

Tiệp TI tích hợp trình điều khiển GaN

,

Máy điều khiển GaN 600V

Mô tả sản phẩm

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN với Trình điều khiển và Bảo vệ Tích hợp


Tính năng
• Quy trình TIGaN Đủ điều kiện Thông qua Tăng tốc
Độ tin cậy trong các Hồ sơ Hoạt động Chuyển mạch Cứng
Hồ sơ
• Cho phép Thiết kế Chuyển đổi Nguồn mật độ cao – Hiệu suất Hệ thống Vượt trội So với Cascode
hoặc FET GaN Độc lập – Gói QFN 8mm x 8mm Cảm kháng thấp cho
Dễ dàng Thiết kế và Bố trí – Cường độ Lái có thể điều chỉnh cho Chuyển mạch
Hiệu suất và Kiểm soát EMI – Tín hiệu Đầu ra Trạng thái Lỗi Kỹ thuật số – Chỉ cần Nguồn Cung cấp +12 V Không điều chỉnh
• Trình điều khiển Cổng Tích hợp – Cảm kháng Nguồn chung bằng không – Độ trễ Lan truyền 20ns cho Hoạt động MHz – Điện áp Thiên vị Cổng được điều chỉnh theo Quy trình để Độ tin cậy – Tốc độ Tăng người dùng có thể điều chỉnh từ 25 đến 100V/ns
• Bảo vệ Mạnh mẽ – Không yêu cầu các Thành phần Bảo vệ Bên ngoài – Bảo vệ Quá dòng với<100ns Response–>Miễn nhiễm Tốc độ Tăng 150V/ns – Miễn nhiễm Quá áp Tạm thời – Bảo vệ Quá nhiệt – Bảo vệ UVLO trên Tất cả các Đường Nguồn
• Tùy chọn Thiết bị: – LMG3410R070: Quá dòng Khóa
Bảo vệ – LMG3411R070: Quá dòng theo Chu kỳ
Bảo vệ


 Ứng dụng
• Nguồn Công nghiệp và Tiêu dùng Mật độ cao
Nguồn điện
• Bộ chuyển đổi Đa cấp
• Biến tần Năng lượng Mặt trời
• Ổ đĩa Động cơ Công nghiệp
• Nguồn Điện Liên tục
• Bộ sạc Pin Điện áp Cao


Mô tả
Giai đoạn nguồn GaN LMG341xR070 với tích hợp
trình điều khiển và bảo vệ cho phép các nhà thiết kế đạt được
mức mật độ công suất và hiệu quả mới trong hệ thống
điện tử công suất. Ưu điểm cố hữu của LMG341x
so với MOSFET silicon bao gồm điện dung đầu vào và đầu ra
cực thấp, phục hồi ngược bằng không để giảm tổn thất chuyển mạch tới 80%, và
vòng lặp nút chuyển mạch thấp để giảm EMI. Những
ưu điểm này cho phép các cấu trúc liên kết dày đặc và hiệu quả như
PFC totem-pole.
LMG341xR070 cung cấp một giải pháp thay thế thông minh cho
FET GaN cascode truyền thống và FET GaN độc lập
bằng cách tích hợp một bộ tính năng độc đáo để đơn giản hóa
thiết kế, tối đa hóa độ tin cậy và tối ưu hóa
hiệu suất của bất kỳ nguồn điện nào. Lái cổng tích hợp
cho phép chuyển mạch 100V/ns với vòng lặp Vds gần như bằng không,
các sự kiện shoot-through không mong muốn, tắt do quá nhiệt
ngăn chặn sự chạy trốn nhiệt, và các tín hiệu giao diện hệ thống<100 ns current limiting self-protects against
cung cấp khả năng tự giám sát.


LMG3410R070RWHR TI Chip LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Bảo vệ trình điều khiển tích hợp


LMG3410R070RWHR TI Chip LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Bảo vệ trình điều khiển tích hợp

LMG3410R070RWHR TI Chip LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Bảo vệ trình điều khiển tích hợp