Los chips TI LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Protección integrada del conductor

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 GaN de 600 V y 70 mΩ con controlador y protección integrados

Características
• Calificado por TIGaNProcess a través de aceleración
Fiabilidad en perfiles de misión de conmutación dura en aplicación
Perfiles
• Permite diseños de conversión de potencia de alta densidad: rendimiento superior del sistema sobre cascode
o FETs GaN independientes: Paquete QFN de 8 mm x 8 mm de baja inductancia para
facilidad de diseño y disposición: resistencia de accionamiento ajustable para la conmutación
control de rendimiento y EMI: señal de salida de estado de falla digital: solo se necesita suministro no regulado de +12 V
• Controlador de puerta integrado: inductancia de fuente común cero: retardo de propagación de 20 ns para operación de MHz: voltaje de polarización de puerta ajustado por proceso para fiabilidad: velocidad de slew de 25 a 100 V/ns ajustable por el usuario
• Protección robusta: no requiere componentes de protección externos: protección contra sobrecorriente con<100ns Response–>inmunidad a la velocidad de slew de 150 V/ns: inmunidad a sobretensión transitoria: protección contra sobretemperatura: protección UVLO en todos los rieles de suministro
• Opciones del dispositivo: LMG3410R070: sobrecorriente con enclavamiento
Protección: LMG3411R070: sobrecorriente ciclo a ciclo
Protección

 Aplicaciones
• Fuentes de alimentación industriales y de consumo de alta densidad
Fuentes de alimentación
• Convertidores multinivel
• Inversores solares
• Accionamientos de motor industriales
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
• Cargadores de batería de alto voltaje

Descripción
El nivel de potencia GaN LMG341xR070 con
controlador y protección integrados permite a los diseñadores lograr
nuevos niveles de densidad de potencia y eficiencia en potencia
sistemas electrónicos. Las ventajas inherentes del LMG341x
sobre los MOSFET de silicio incluyen capacitancia de entrada y salida ultrabaja,
recuperación inversa cero para reducir las pérdidas de conmutación hasta en un 80%, y
bajo rizado del nodo de conmutación para reducir la EMI. Estas
ventajas permiten topologías densas y eficientes como
el PFC de tótem-polo.
El LMG341xR070 proporciona una alternativa inteligente a
los FETs GaN cascode tradicionales y GaN independientes
al integrar un conjunto único de características para simplificar
el diseño, maximizar la fiabilidad y optimizar el
rendimiento de cualquier fuente de alimentación. El accionamiento de puerta integrado
permite una conmutación de 100 V/ns con casi cero Vds
rizado,
eventos de disparo cruzado no intencionados, la desconexión por sobretemperatura<100 ns current limiting self-protects against
evita la fuga térmica y las señales de interfaz del sistema
proporcionan capacidad de autovigilancia.