| Название бренда: | TI Chips |
| Номер модели: | LMG3410R070RWHR |
| минимальный заказ: | 2000 г. |
| Детали упаковки: | 2000pcs/катушка |
| Условия оплаты: | Т/Т |
TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN с интегрированным драйвером и защитой
Особенности
• Квалификация TIGaNProcess через ускоренную
надежность в режиме жесткого переключения в приложениях
Профили
• Обеспечивает высокую плотность силовых преобразователей – превосходная производительность системы по сравнению с каскодными
или автономными GaN FET – низкоиндуктивный корпус QFN 8 мм x 8 мм для
простоты проектирования и компоновки – регулируемая мощность драйвера для переключения
производительность и контроль ЭМП – цифровой сигнал состояния неисправности – требуется только один источник питания +12 В без регулировки
• Интегрированный драйвер затвора – нулевая индуктивность общего истока – задержка распространения 20 нс для работы на МГц – настроенное напряжение смещения затвора для надежности – регулируемая скорость нарастания от 25 до 100 В/нс
• Надежная защита – не требует внешних компонентов защиты – защита от перегрузки по току с<100ns Response–>иммунитетом к скорости нарастания 150 В/нс – иммунитет к переходным перенапряжениям – защита от перегрева – защита от пониженного напряжения на всех шинах питания
• Варианты устройства:– LMG3410R070: защита от перегрузки по току с фиксацией
– LMG3411R070: защита от перегрузки по току от цикла к циклу
Применения
• Промышленные и бытовые источники питания высокой плотности
• Многоуровневые преобразователи
• Солнечные инверторы
• Промышленные приводы двигателей
• Источники бесперебойного питания
• Высоковольтные зарядные устройства для аккумуляторов
Описание
Силовой каскад LMG341xR070 GaN с интегрированным
драйвером и защитой позволяет разработчикам достичь
новых уровней плотности мощности и эффективности в силовых
электронных системах. Внутренние преимущества
LMG341x по сравнению с кремниевыми MOSFET включают сверхнизкую
входную и выходную емкость, нулевое обратное восстановление
для снижения потерь при переключении до 80% и
низкие пульсации узла переключения для снижения ЭМП. Эти
преимущества позволяют использовать плотные и эффективные топологии, такие как
PFC с топологией "полумост".
LMG341xR070 представляет собой интеллектуальную альтернативу
традиционным каскодным GaN и автономным GaN FET
благодаря интеграции уникального набора функций для упрощения
проектирования, максимальной надежности и оптимизации
производительности любого источника питания. Интегрированный драйвер затвора
обеспечивает переключение со скоростью 100 В/нс с почти нулевыми пульсациями Vds
непреднамеренные события сквозного тока, защита от перегрева
предотвращает тепловой разгон, а сигналы интерфейса системы
обеспечивают возможность самомониторинга.<100 ns current limiting self-protects against
![]()
![]()
![]()