| Nazwa marki: | TI Chips |
| Numer modelu: | LMG3410R070RWHR |
| MOQ: | 2000 |
| Szczegóły opakowania: | 2000pcs/rolka |
| Warunki płatności: | T/T |
TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN ze zintegrowanym sterownikiem i zabezpieczeniami
Funkcje
• Kwalifikacja procesu TIGaN poprzez przyspieszone
testy niezawodności w zastosowaniach z twardym przełączaniem
profilach
• Umożliwia projektowanie wysokiej gęstości konwersji mocy – lepsza wydajność systemu w porównaniu do kaskodowych
lub samodzielnych tranzystorów GaN – niskoindukcyjny pakiet QFN 8 mm x 8 mm dla
łatwości projektowania i układu – regulowana siła sterowania dla przełączania
wydajności i kontroli EMI – cyfrowy sygnał wyjściowy stanu awarii – wymagany tylko nieuregulowany zasilacz +12 V
• Zintegrowany sterownik bramki – zerowa indukcyjność wspólnej źródła – opóźnienie propagacji 20 ns dla pracy MHz – napięcie polaryzacji bramki dostosowane do procesu dla niezawodności – szybkość narastania regulowana przez użytkownika od 25 do 100 V/ns
• Solidne zabezpieczenia – nie wymaga zewnętrznych elementów zabezpieczających – zabezpieczenie nadprądowe z<100ns Response–>odpornością na szybkość narastania 150 V/ns – odporność na przepięcia przejściowe – zabezpieczenie przed przegrzaniem – zabezpieczenie UVLO na wszystkich szynach zasilania
• Opcje urządzenia: – LMG3410R070: Zabezpieczenie nadprądowe z blokadą
– LMG3411R070: Zabezpieczenie nadprądowe cykl po cyklu
Aplikacje
• Wysokiej gęstości przemysłowe i konsumenckie zasilacze
• Konwertery wielopoziomowe
• Falowniki solarne
• Napędy silników przemysłowych
• Zasilacze awaryjne (UPS)
• Wysokonapięciowe ładowarki akumulatorów
Opis
Etap mocy GaN LMG341xR070 ze zintegrowanym
sterownikiem i zabezpieczeniami umożliwia projektantom osiągnięcie
nowych poziomów gęstości mocy i wydajności w systemach
elektroniki mocy. Wrodzone zalety LMG341x w porównaniu do krzemowych MOSFETów obejmują ultra-niską
pojemność wejściową i wyjściową, zerowe odzyskiwanie wsteczne
redukujące straty przełączania nawet o 80% i
niski dzwon węzła przełączającego redukujący EMI.
Te zalety umożliwiają gęste i wydajne topologie, takie jak
PFC typu totem-pole.
LMG341xR070 stanowi inteligentną alternatywę dla
tradycyjnych kaskodowych tranzystorów GaN i samodzielnych tranzystorów GaN
poprzez integrację unikalnego zestawu funkcji upraszczających
projektowanie, maksymalizujących niezawodność i optymalizujących
wydajność każdego zasilacza. Zintegrowany sterownik bramki
umożliwia przełączanie 100 V/ns z prawie zerowym dzwonem Vds,
zapobiegając niezamierzonym zdarzeniom przepięciowym, wyłączenie z powodu przegrzania zapobiega ucieczce termicznej, a sygnały interfejsu systemowego zapewniają możliwość samomonitorowania.
<100 ns current limiting self-protects against
![]()
![]()
![]()