logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chipsy TI
Created with Pixso.

LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Zintegrowana ochrona kierowcy

LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Zintegrowana ochrona kierowcy

Nazwa marki: TI Chips
Numer modelu: LMG3410R070RWHR
MOQ: 2000
Szczegóły opakowania: 2000pcs/rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Nazwa produktu:
Chipsy TI
model:
LMG3410R070RWHR
Typ:
SMD/SMT
Napięcie zasilania operacyjnego:
12 V
Hermetyzacja:
Rolka
Liczba wyjść:
1 Wyjście
Możliwość Supply:
1000000
Podkreślić:

Pojazd LMG3410R070RWHR GaN

,

Chipy TI zintegrowany sterownik GaN

,

600V GaN sterownik

Opis produktu

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN ze zintegrowanym sterownikiem i zabezpieczeniami


Funkcje
• Kwalifikacja procesu TIGaN poprzez przyspieszone
testy niezawodności w zastosowaniach z twardym przełączaniem
profilach
• Umożliwia projektowanie wysokiej gęstości konwersji mocy – lepsza wydajność systemu w porównaniu do kaskodowych
lub samodzielnych tranzystorów GaN – niskoindukcyjny pakiet QFN 8 mm x 8 mm dla
łatwości projektowania i układu – regulowana siła sterowania dla przełączania
wydajności i kontroli EMI – cyfrowy sygnał wyjściowy stanu awarii – wymagany tylko nieuregulowany zasilacz +12 V
• Zintegrowany sterownik bramki – zerowa indukcyjność wspólnej źródła – opóźnienie propagacji 20 ns dla pracy MHz – napięcie polaryzacji bramki dostosowane do procesu dla niezawodności – szybkość narastania regulowana przez użytkownika od 25 do 100 V/ns
• Solidne zabezpieczenia – nie wymaga zewnętrznych elementów zabezpieczających – zabezpieczenie nadprądowe z<100ns Response–>odpornością na szybkość narastania 150 V/ns – odporność na przepięcia przejściowe – zabezpieczenie przed przegrzaniem – zabezpieczenie UVLO na wszystkich szynach zasilania
• Opcje urządzenia: – LMG3410R070: Zabezpieczenie nadprądowe z blokadą
– LMG3411R070: Zabezpieczenie nadprądowe cykl po cyklu
Aplikacje


 • Wysokiej gęstości przemysłowe i konsumenckie zasilacze
• Konwertery wielopoziomowe
• Falowniki solarne
• Napędy silników przemysłowych
• Zasilacze awaryjne (UPS)
• Wysokonapięciowe ładowarki akumulatorów
Opis
Etap mocy GaN LMG341xR070 ze zintegrowanym


sterownikiem i zabezpieczeniami umożliwia projektantom osiągnięcie
nowych poziomów gęstości mocy i wydajności w systemach
elektroniki mocy. Wrodzone zalety LMG341x w porównaniu do krzemowych MOSFETów obejmują ultra-niską
pojemność wejściową i wyjściową, zerowe odzyskiwanie wsteczne
redukujące straty przełączania nawet o 80% i
niski dzwon węzła przełączającego redukujący EMI.
Te zalety umożliwiają gęste i wydajne topologie, takie jak
PFC typu totem-pole.
LMG341xR070 stanowi inteligentną alternatywę dla
tradycyjnych kaskodowych tranzystorów GaN i samodzielnych tranzystorów GaN
poprzez integrację unikalnego zestawu funkcji upraszczających
projektowanie, maksymalizujących niezawodność i optymalizujących
wydajność każdego zasilacza. Zintegrowany sterownik bramki
umożliwia przełączanie 100 V/ns z prawie zerowym dzwonem Vds,
zapobiegając niezamierzonym zdarzeniom przepięciowym, wyłączenie z powodu przegrzania zapobiega ucieczce termicznej, a sygnały interfejsu systemowego zapewniają możliwość samomonitorowania.


<100 ns current limiting self-protects against



LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Zintegrowana ochrona kierowcy


LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Zintegrowana ochrona kierowcy

LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Zintegrowana ochrona kierowcy