szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chip Infineona

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Temperatura pracy Technologia zaawansowanego procesu

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Temperatura pracy Technologia zaawansowanego procesu

Nazwa marki:	Infineon Chip
Numer modelu:	IRFR6215TRPBF
MOQ:	2500
Szczegóły opakowania:	2500 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

model:

IRFR6215TRPBF

Nazwa produktu:

Chip Infineona

Temperatura pracy:

-55°C ~ + 175°C

Rozpraszanie mocy:

110 W

SMD/SMT

Ciągły prąd spustowy:

Napięcie przebicia dren-źródło:

150 V

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

IRFR6215TRPBF

IRFR6215 Infineon P-Channel MOSFET

Zaawansowany proces P-Channel MOSFET

Opis produktu

Tranzystor Infineon IRFR6215TRPBF P-Channel 175°C Temperatura pracy Zaawansowana technologia przetwarzania

P-Channel

175°C Temperatura pracy

Montaż powierzchniowy (IRFR6215)

Proste wyprowadzenia (IRFU6215)

Zaawansowana technologia przetwarzania

Szybkie przełączanie

W pełni odporny na lawinowe

Bez ołowiu

Opis

Piąta generacja HEXFET firmy International Rectifier wykorzystuje zaawansowane

techniki przetwarzania w celu uzyskania najniższego możliwego oporu włączenia na

powierzchni krzemu. Ta zaleta, w połączeniu z dużą prędkością przełączania

i wytrzymałą konstrukcją urządzenia, z których znane są tranzystory HEXFET Power MOSFET,

zapewnia projektantowi niezwykle wydajne urządzenie

do stosowania w szerokiej gamie zastosowań.

Obudowa D-PAK jest przeznaczona do montażu powierzchniowego z użyciem technik

lutowania w fazie par, podczerwieni lub falowego. Wersja z prostymi wyprowadzeniami

(seria IRFU) jest przeznaczona do montażu przewlekanego. Poziomy

rozpraszania mocy do 1,5 W są możliwe w typowych zastosowaniach

montażu powierzchniowego.

Maksymalne parametry absolutne

Rezystancja termiczna

Charakterystyki elektryczne @ TJ = 25°C (chyba że określono inaczej)

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Temperatura pracy Technologia zaawansowanego procesu

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI