logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET อุณหภูมิการทำงาน 175°C เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET อุณหภูมิการทำงาน 175°C เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IRFR6215TRPBF
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IRFR6215TRPBF
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
110 วัตต์
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
13 ก
แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
150 โวลต์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IRFR6215TRPBF

,

IRFR6215 Infineon P-Channel MOSFET

,

Advanced Process P-Channel MOSFET

รายละเอียดสินค้า

ชิป Infineon IRFR6215TRPBF P-Channel 175°C อุณหภูมิการทํางาน เทคโนโลยีกระบวนการที่ทันสมัย


ช่อง P
อุณหภูมิการทํางาน 175°C
การติดตั้งพื้นผิว (IRFR6215)
โลหะตรง (IRFU6215)
เทคโนโลยีกระบวนการที่ก้าวหน้า
การเปลี่ยนเร็ว
มีเกณฑ์การทําหินตกเต็ม
ไม่นํา

คําอธิบาย
HEXFETs รุ่นที่ห้าจาก International Rectifier ใช้เครื่องมือที่ทันสมัย
เทคนิคการแปรรูปเพื่อบรรลุความต้านทานการเปิดที่ต่ําที่สุด
สิทธิประโยชน์นี้รวมกับความเร็วในการสลับที่เร็ว
และการออกแบบอุปกรณ์ที่แข็งแรงที่ HEXFET Power MOSFETs
ที่เป็นที่รู้จักกันดี สําหรับการสร้างเครื่องมือ
สําหรับการใช้ในหลายๆ การใช้งาน
D-PAK ได้ถูกออกแบบมาเพื่อการติดตั้งบนพื้นผิว โดยใช้ระยะควาย
อินฟราเรด หรือเทคนิคการเชื่อมคลื่น
(ชุด IRFU) สําหรับการใช้งานการติดตั้งรูผ่าน
ระดับการระบายไฟฟ้าสูงถึง 1.5 วัตต์เป็นไปได้ในพื้นผิวทั่วไป
การติดตั้ง

อัตราการเรตติ้งสูงสุด
 IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET อุณหภูมิการทำงาน 175°C เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง

ความต้านทานความร้อน
IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET อุณหภูมิการทำงาน 175°C เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง

คุณสมบัติไฟฟ้า @ TJ= 25°C (ยกเว้นที่ระบุต่างหาก)
IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET อุณหภูมิการทำงาน 175°C เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง