dettagli dei prodotti

Casa Prodotti

Chip Infineon

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Temperatura Operativa Tecnologia di processo avanzata

Tutte le categorie

Chip LED ad alta potenza

Contattici

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contatto ora

Tutte le categorie

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Temperatura Operativa Tecnologia di processo avanzata

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IRFR6215TRPBF
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IRFR6215TRPBF

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Temperatura operativa:

-55°C~+175°C

Dissipazione di potenza:

110 W

Tipo:

SMD/SMT

Corrente continua dello scolo:

Tensione di ripartizione di Scolo-fonte:

150 V

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IRFR6215TRPBF

IRFR6215 Infineon P-Channel MOSFET

MOSFET a canale P con tecnologia di processo avanzata

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRFR6215TRPBF P-Channel 175°C Temperatura Operativa Tecnologia di Processo Avanzata

P-Channel

175°C Temperatura Operativa

Montaggio Superficiale (IRFR6215)

Versione con piedini dritti (IRFU6215)

Tecnologia di Processo Avanzata

Commutazione Rapida

Completamente Classificato per Valanga

Senza Piombo

Descrizione

I HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di

elaborazione avanzate per ottenere la più bassa resistenza on possibile per

area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida

e il design robusto del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono

ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente

per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il D-PAK è progettato per il montaggio superficiale utilizzando tecniche di saldatura a fase vapore,

infrarossi o a onda. La versione con piedini dritti

(serie IRFU) è per applicazioni di montaggio a foro passante. Dissipazione di potenza

fino a 1,5 watt è possibile in tipiche applicazioni di montaggio superficiale.

Valori Massimi Assoluti

Resistenza Termica

Caratteristiche Elettriche @ T

J = 25°C (se non diversamente specificato)

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED Samsung

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

ONsemi Chips

Chip ADI

Perline LED TSLC Semileds

Chip LED ad alta potenza

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED Samsung

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

ONsemi Chips

Chip ADI

Perline LED TSLC Semileds

Chip LED ad alta potenza

dettagli dei prodotti

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Temperatura Operativa Tecnologia di processo avanzata

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED Samsung

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

ONsemi Chips

Chip ADI

Perline LED TSLC Semileds

Chip LED ad alta potenza

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

Chip SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED Samsung

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

ONsemi Chips

Chip ADI