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Infineon-Chip

IRFR6215TRPBF Infineon P-Kanal MOSFET 175°C Betriebstemperatur Fortschrittliche Prozesstechnologie

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IRFR6215TRPBF Infineon P-Kanal MOSFET 175°C Betriebstemperatur Fortschrittliche Prozesstechnologie

Markenname:	Infineon Chip
Modellnummer:	IRFR6215TRPBF
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Modell:

IRFR6215TRPBF

Produktname:

Infineon-Chip

Betriebstemperatur:

- 55 °C ~ + 175 °C

Verlustleistung:

110 W

SMD/SMT

Ununterbrochener Abfluss-Strom:

Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:

150 V

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

IRFR6215TRPBF

IRFR6215 Infineon P-Kanal MOSFET

Fortschrittlicher Prozess P-Kanal MOSFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IRFR6215TRPBF P-Kanal 175°C Betriebstemperatur Fortschrittliche Prozesstechnologie

P-Kanal

175°C Betriebstemperatur

Oberflächenmontage (IRFR6215)

Gerader Anschluss (IRFU6215)

Fortschrittliche Prozesstechnologie

Schnelles Schalten

Vollständig Lawinenfähig

Bleifrei

Beschreibung

Die HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche

Verfahrenstechniken, um den niedrigstmöglichen Einschaltwiderstand pro

Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit

und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt sind,

bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.

Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-,

Infrarot- oder Wellenlötverfahren konzipiert. Die Version mit geradem Anschluss

(IRFU-Serie) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. Leistungs

dissipationsniveaus von bis zu 1,5 Watt sind in typischen Oberflächenmontageanwendungen möglich.

Absolute Maximalwerte

Thermischer Widerstand

Elektrische Kennwerte @ T

= 25°C (sofern nicht anders angegeben)

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

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