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Détails des produits

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Puce Infineon
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IRFR6215TRPBF Infineon MOSFET à canal P 175°C Température de fonctionnement Technologie de procédé avancée

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IRFR6215TRPBF Infineon MOSFET à canal P 175°C Température de fonctionnement Technologie de procédé avancée
  • Nom

IRFR6215TRPBF Infineon MOSFET à canal P 175°C Température de fonctionnement Technologie de procédé avancée

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IRFR6215TRPBF
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
Infineon_IRFR6215_DS_v01_02...EN.pdf
modèle:
IRFR6215TRPBF
Nom du produit:
Puce Infineon
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
110 W
Taper:
CMS/CMS
Courant continu de drain:
13 A
Tension claque de Drain-source:
150 V
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IRFR6215TRPBF

,

IRFR6215 MOSFET à canal P par Infineon

,

MOSFET à canal P de procédé avancé

Description du produit

Infineon Chip IRFR6215TRPBF P-Channel 175°C Température de fonctionnement Technologie de processus avancée


P-canal
Température de fonctionnement 175°C
Montage à la surface (IRFR6215)
Le plomb droit (IRFU6215)
Technologie de procédé avancée
Un changement rapide
Completement classé comme avalanche
Ne contenant pas de plomb

Définition
La cinquième génération de HEXFETs de l'International Rectifier utilise des
techniques de traitement pour obtenir la résistance d'allumage la plus faible possible par
Ce bénéfice, combiné à la vitesse de commutation rapide
et la conception de dispositifs robustes que les MOSFETs de puissance HEXFET sont
Il s'agit d'un dispositif très performant.
pour une large gamme d'applications.
Le D-PAK est conçu pour un montage en surface en phase vapeur,
La version en plomb droit est la version en plomb droit.
(série IRFU) est destiné à des applications de montage à travers trou.
des niveaux de dissipation allant jusqu'à 1,5 W sont possibles sur une surface typique
les applications de montage.

Notes de crédit maximales absolues
 IRFR6215TRPBF Infineon MOSFET à canal P 175°C Température de fonctionnement Technologie de procédé avancée

Résistance thermique
IRFR6215TRPBF Infineon MOSFET à canal P 175°C Température de fonctionnement Technologie de procédé avancée

Caractéristiques électriquesJe= 25°C (sauf indication contraire)
IRFR6215TRPBF Infineon MOSFET à canal P 175°C Température de fonctionnement Technologie de procédé avancée
Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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