Name: IRFR6215TRPBF インフィニオン Pチャネル MOSFET 175°C 動作温度 先進プロセス技術
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRFR6215TRPBF
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Infineon Chip
モデル番号:	IRFR6215TRPBF
MOQ:	2500
梱包の詳細:	2500個/リール
支払い条件:	T/T

詳細情報

製品説明

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起源の場所:

中国

書類:

Infineon_IRFR6215_DS_v01_02...EN.pdf

モデル:

IRFR6215TRPBF

製品名:

インフィニオンチップ

動作温度:

-55℃～+175℃

消費電力:

110W

タイプ:

SMD/SMT

連続的な下水管の流れ:

13 A

下水管源の絶縁破壊電圧:

150V

供給の能力:

100000

ハイライト:

IRFR6215TRPBF

IRFR6215 インフィニオンPチャネルMOSFET

先進プロセスPチャネルMOSFET

製品説明

Infineon Chip IRFR6215TRPBF Pチャネル 175℃ 動作温度高度プロセス技術

Pチャネル

175℃ 動作温度

表面実装 (IRFR6215)

ストレートリード (IRFU6215)

高度プロセス技術

高速スイッチング

完全アバランシェ定格

鉛フリー

説明

International Rectifier の第 5 世代 HEXFET は、高度な

プロセス技術を使用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を可能な限り低くしています。この利点は、HEXFET パワー MOSFET でよく知られている高速スイッチング速度と堅牢なデバイス設計と組み合わされており、設計者は非常に効率的なデバイスをさまざまな用途に使用できます。

D-PAK は、ベーパーフェーズ、

赤外線、またはウェーブはんだ付け技術を使用して表面実装用に設計されています。ストレートリードバージョン

(IRFUシリーズ) は、スルーホール実装用途向けです。電力

表面実装用途では、最大 1.5 ワットの消費電力レベルが可能です。

絶対最大定格

熱抵抗

電気的特性 @ T

J = 25℃ (特に指定がない限り)

タグ:

オスラム LED チップ

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