logo
Goede prijs  Online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
Infineon-chip
Created with Pixso.

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Bedrijfstemperatuur Geavanceerde Proces Technologie

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Bedrijfstemperatuur Geavanceerde Proces Technologie

Merknaam: Infineon Chip
Modelnummer: IRFR6215TRPBF
MOQ: 2500
Verpakkingsdetails: 2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
model:
IRFR6215TRPBF
Productnaam:
Infineon-chip
Bedrijfstemperatuur:
- 55 °C ~ + 175 °C
Vermogensdissipatie:
110 W
Type:
SMD/SMT
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:
13 A
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage:
150 V
Levering vermogen:
100000
Markeren:

IRFR6215TRPBF

,

IRFR6215 Infineon P-Channel MOSFET

,

Geavanceerde Proces P-Channel MOSFET

Productbeschrijving

Infineon Chip IRFR6215TRPBF P-Kanaal 175°C Bedrijfstemperatuur Geavanceerde Proces Technologie


P-Kanaal
175°C Bedrijfstemperatuur 
Surface Mount (IRFR6215) 
Rechte Lead (IRFU6215) 
Geavanceerde Proces Technologie
Snelle Schakeling
Volledig Avalanche Rated
Loodvrij

Beschrijving
Vijfde Generatie HEXFETs van International Rectifier maken gebruik van geavanceerde
verwerkingstechnieken om de laagst mogelijke weerstand per
siliciumoppervlak te bereiken. Dit voordeel, gecombineerd met de snelle schakelsnelheid
en het robuuste apparaatontwerp waar HEXFET Power MOSFETs bekend om staan,
biedt de ontwerper een extreem efficiënt apparaat
voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.
De D-PAK is ontworpen voor oppervlaktemontage met dampfase,
infrarood of golfsoldeertechnieken. De rechte leadversie
(IRFU-serie) is voor doorvoermontage. Vermogens
dissipatieniveaus tot 1,5 watt zijn mogelijk in typische oppervlakte
montagetoepassingen.

Absolute Maximale Beoordelingen
 IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Bedrijfstemperatuur Geavanceerde Proces Technologie

Thermische Weerstand
IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Bedrijfstemperatuur Geavanceerde Proces Technologie

Elektrische Kenmerken @ TJ = 25°C (tenzij anders gespecificeerd)
IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Bedrijfstemperatuur Geavanceerde Proces Technologie