Infineon चिप IRFR6215TRPBF पी-चैनल 175°C ऑपरेटिंग तापमान उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
पी-चैनल
175°C ऑपरेटिंग तापमान
सरफेस माउंट (IRFR6215)
स्ट्रेट लीड (IRFU6215)
उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
फास्ट स्विचिंग
पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
लीड-मुक्त
विवरण
इंटरनेशनल रेक्टिफायर के पांचवीं पीढ़ी के हेक्सेट्स सबसे कम संभव ऑन-रेसिस्टेंस प्रति सिलिकॉन क्षेत्र प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करते हैं। यह लाभ, हेक्सेट पावर MOSFETs के लिए अच्छी तरह से जाने जाने वाले तेज स्विचिंग गति और मजबूत डिवाइस डिजाइन के साथ मिलकर, डिजाइनर को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल डिवाइस प्रदान करता है।
डी-पाक को वेपर फेज, इन्फ्रारेड, या वेव सोल्डरिंग तकनीकों का उपयोग करके सतह माउंटिंग के लिए डिज़ाइन किया गया है। स्ट्रेट लीड संस्करण (IRFU श्रृंखला) थ्रू-होल माउंटिंग अनुप्रयोगों के लिए है। विशिष्ट सतह माउंट अनुप्रयोगों में 1.5 वाट तक की पावर डिसिपेशन स्तर संभव हैं।