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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C ऑपरेटिंग तापमान उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C ऑपरेटिंग तापमान उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: आईआरएफआर6215टीआरपीबीएफ
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
आईआरएफआर6215टीआरपीबीएफ
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
परिचालन तापमान:
- 55 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
110 डब्ल्यू
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
निरंतर नाली वर्तमान:
13 ए
ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज:
150 वी
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

आईआरएफआर6215टीआरपीबीएफ

,

IRFR6215 Infineon P-Channel MOSFET

,

उन्नत प्रक्रिया P-Channel MOSFET

उत्पाद वर्णन

Infineon चिप IRFR6215TRPBF पी-चैनल 175°C ऑपरेटिंग तापमान उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी


पी-चैनल
175°C ऑपरेटिंग तापमान 
सरफेस माउंट (IRFR6215) 
स्ट्रेट लीड (IRFU6215) 
उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
फास्ट स्विचिंग
पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
लीड-मुक्त

विवरण
इंटरनेशनल रेक्टिफायर के पांचवीं पीढ़ी के हेक्सेट्स सबसे कम संभव ऑन-रेसिस्टेंस प्रति सिलिकॉन क्षेत्र प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करते हैं। यह लाभ, हेक्सेट पावर MOSFETs के लिए अच्छी तरह से जाने जाने वाले तेज स्विचिंग गति और मजबूत डिवाइस डिजाइन के साथ मिलकर, डिजाइनर को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल डिवाइस प्रदान करता है।
डी-पाक को वेपर फेज, इन्फ्रारेड, या वेव सोल्डरिंग तकनीकों का उपयोग करके सतह माउंटिंग के लिए डिज़ाइन किया गया है। स्ट्रेट लीड संस्करण (IRFU श्रृंखला) थ्रू-होल माउंटिंग अनुप्रयोगों के लिए है। विशिष्ट सतह माउंट अनुप्रयोगों में 1.5 वाट तक की पावर डिसिपेशन स्तर संभव हैं।
पूर्ण अधिकतम रेटिंग
थर्मल प्रतिरोध
इलेक्ट्रिकल कैरेक्टरिस्टिक्स @ T
जे
= 25°C (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो)

 IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C ऑपरेटिंग तापमान उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C ऑपरेटिंग तापमान उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C ऑपरेटिंग तापमान उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी