Name: MOSFET de canal P IRFR6215TRPBF Infineon 175°C Temperatura de Operação Tecnologia de Processo Avançada
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRFR6215TRPBF
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Infineon Chip
Número do modelo:	IRFR6215TRPBF
Quantidade mínima:	2500
Detalhes da embalagem:	2500 unidades/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

Infineon_IRFR6215_DS_v01_02...EN.pdf

modelo:

IRFR6215TRPBF

Nome do produto:

Chip Infineon

Temperatura operacional:

- 55 °C ~ + 175 °C

Dissipação de energia:

110 W

Tipo:

SMD/SMT

Corrente contínua do dreno:

13 A

Tensão de divisão da Dreno-fonte:

150 V

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

IRFR6215TRPBF

MOSFET de canal P IRFR6215 Infineon

MOSFET de canal P com Tecnologia de Processo Avançada

Descrição do produto

Chip Infineon IRFR6215TRPBF Canal P 175°C Temperatura de Operação Tecnologia de Processo Avançada

Canal P

175°C Temperatura de Operação

Montagem em Superfície (IRFR6215)

Versão com Pino Reto (IRFU6215)

Tecnologia de Processo Avançada

Comutação Rápida

Totalmente Classificado para Avalanche

Livre de Chumbo

Descrição

Os HEXFETs de Quinta Geração da International Rectifier utilizam técnicas de

processamento avançadas para alcançar a menor resistência de condução possível por

área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida

e o design robusto do dispositivo pelos quais os MOSFETs de Potência HEXFET são

bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente

para uso em uma ampla variedade de aplicações.

O D-PAK é projetado para montagem em superfície usando técnicas de soldagem por fase de vapor,

infravermelho ou onda. A versão com pino reto

(série IRFU) é para aplicações de montagem em furo passante. Níveis de

dissipação de potência de até 1,5 watts são possíveis em aplicações típicas de montagem em superfície.

Classificações Máximas Absolutas

Resistência Térmica

Características Elétricas @ T

J = 25°C (a menos que especificado de outra forma)

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

MOSFET de canal P IRFR6215TRPBF Infineon 175°C Temperatura de Operação Tecnologia de Processo Avançada

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

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Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

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