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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
인피니언 칩
Created with Pixso.

IRFR6215TRPBF Infineon P채널 MOSFET 175°C 작동 온도 고급 공정 기술

IRFR6215TRPBF Infineon P채널 MOSFET 175°C 작동 온도 고급 공정 기술

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IRFR6215TRPBF
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
모델:
IRFR6215TRPBF
제품명:
인피니언 칩
작동 온도:
- 55°C ~ + 175°C
전력 소비:
110W
유형:
SMD/SMT
연속배수 경향:
13 A
드레인-소스 항복 전압:
150 V
공급 능력:
100000
강조하다:

IRFR6215TRPBF

,

IRFR6215 Infineon P채널 MOSFET

,

고급 공정 P채널 MOSFET

제품 설명

Infineon 칩 IRFR6215TRPBF P채널 175°C 작동 온도 고급 공정 기술


P채널
175°C 작동 온도 
표면 실장 (IRFR6215) 
스트레이트 리드 (IRFU6215) 
고급 공정 기술
고속 스위칭
완전 애벌랜치 정격
무연

설명
International Rectifier의 5세대 HEXFET은 고급
공정 기술을 사용하여 실리콘 면적당 가장 낮은 온 저항을 달성합니다. 이 이점은 HEXFET 전력 MOSFET으로 잘 알려진 빠른 스위칭 속도
및 견고한 장치 설계와 결합되어 설계자에게 매우 효율적인 장치를 제공합니다.
다양한 애플리케이션에 사용하기 위한 것입니다.
D-PAK은 증기상,
적외선 또는 웨이브 솔더링 기술을 사용하여 표면 실장을 위해 설계되었습니다. 스트레이트 리드 버전
(IRFU 시리즈)은 스루홀 실장 애플리케이션용입니다. 최대 1.5와트의 전력 소산 수준은 일반적인 표면
실장 애플리케이션에서 가능합니다.
절대 최대 정격
열 저항
전기적 특성 @ T

J
 IRFR6215TRPBF Infineon P채널 MOSFET 175°C 작동 온도 고급 공정 기술

= 25°C (별도 명시되지 않는 한)
IRFR6215TRPBF Infineon P채널 MOSFET 175°C 작동 온도 고급 공정 기술

IRFR6215TRPBF Infineon P채널 MOSFET 175°C 작동 온도 고급 공정 기술