logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقاقة انفينيون
Created with Pixso.

IRFR6215TRPBF إنفينيون P-Channel MOSFET درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية تقنية معالجة متقدمة

IRFR6215TRPBF إنفينيون P-Channel MOSFET درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية تقنية معالجة متقدمة

اسم العلامة التجارية: Infineon Chip
رقم الموديل: IRFR6215TRPBF
موك: 2500
تفاصيل التغليف: 2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
نموذج:
IRFR6215TRPBF
اسم المنتج:
رقاقة انفينيون
درجة حرارة التشغيل:
- 55 درجة مئوية ~ + 175 درجة مئوية
تبديد الطاقة:
110 واط
يكتب:
سمد/سمت
تيار التصريف المستمر:
13 أ
جهد تفكيك مصدر الصرف:
150 فولت
القدرة على العرض:
100000
إبراز:

IRFR6215TRPBF

,

IRFR6215 إنفينيون P-Channel MOSFET

,

تقنية معالجة متقدمة P-Channel MOSFET

وصف المنتج

شريحة Infineon IRFR6215TRPBF P-Channel درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية تقنية معالجة متقدمة


قناة P
درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية
تركيب سطحي (IRFR6215)
وصلة مستقيمة (IRFU6215)
تقنية معالجة متقدمة
تبديل سريع
معدل انهيار كامل
خالي من الرصاص

وصف
الجيل الخامس من HEXFETs من International Rectifier تستخدم تقنيات معالجة متقدمة لتحقيق أقل مقاومة تشغيل ممكنة لكل مساحة سيليكون. هذه الفائدة، جنبًا إلى جنب مع سرعة التبديل السريعة وتصميم الجهاز المقوى الذي تشتهر به HEXFET Power MOSFETs، توفر للمصمم جهازًا فعالًا للغاية للاستخدام في مجموعة واسعة من التطبيقات.
تم تصميم D-PAK للتركيب السطحي باستخدام تقنيات اللحام بالطور البخاري أو الأشعة تحت الحمراء أو الموجة. الإصدار ذو الوصلة المستقيمة (سلسلة IRFU) مخصص لتطبيقات التركيب من خلال الثقوب. يمكن تحقيق مستويات تبديد طاقة تصل إلى 1.5 واط في تطبيقات التركيب السطحي النموذجية.
الحد الأقصى المطلق للتقييمات
المقاومة الحرارية
الخصائص الكهربائية @ T
J
= 25 درجة مئوية (ما لم يُذكر خلاف ذلك)

 IRFR6215TRPBF إنفينيون P-Channel MOSFET درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية تقنية معالجة متقدمة

IRFR6215TRPBF إنفينيون P-Channel MOSFET درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية تقنية معالجة متقدمة

IRFR6215TRPBF إنفينيون P-Channel MOSFET درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية تقنية معالجة متقدمة