شريحة Infineon IRFR6215TRPBF P-Channel درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية تقنية معالجة متقدمة
قناة P
درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية
تركيب سطحي (IRFR6215)
وصلة مستقيمة (IRFU6215)
تقنية معالجة متقدمة
تبديل سريع
معدل انهيار كامل
خالي من الرصاص
وصف
الجيل الخامس من HEXFETs من International Rectifier تستخدم تقنيات معالجة متقدمة لتحقيق أقل مقاومة تشغيل ممكنة لكل مساحة سيليكون. هذه الفائدة، جنبًا إلى جنب مع سرعة التبديل السريعة وتصميم الجهاز المقوى الذي تشتهر به HEXFET Power MOSFETs، توفر للمصمم جهازًا فعالًا للغاية للاستخدام في مجموعة واسعة من التطبيقات.
تم تصميم D-PAK للتركيب السطحي باستخدام تقنيات اللحام بالطور البخاري أو الأشعة تحت الحمراء أو الموجة. الإصدار ذو الوصلة المستقيمة (سلسلة IRFU) مخصص لتطبيقات التركيب من خلال الثقوب. يمكن تحقيق مستويات تبديد طاقة تصل إلى 1.5 واط في تطبيقات التركيب السطحي النموذجية.