λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Infineon Chip

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Θερμοκρασία λειτουργίας Τεχνολογία προηγμένης διαδικασίας

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Θερμοκρασία λειτουργίας Τεχνολογία προηγμένης διαδικασίας

Επωνυμία:	Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου:	IRFR6215TRPBF
MOQ:	2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

μοντέλο:

IRFR6215TRPBF

Όνομα προϊόντος:

Infineon Chip

Θερμοκρασία λειτουργίας:

- 55 °C ~ + 175 °C

Διαρροή Ισχύος:

110 W

Τύπος:

SMD/SMT

Συνεχές ρεύμα αγωγών:

Τάση διακοπής αγωγός-πηγής:

150 V

Δυνατότητα προσφοράς:

100000

Επισημαίνω:

IRFR6215TRPBF

IRFR6215 Infineon P-Channel MOSFET

Προηγμένη διαδικασία P-Channel MOSFET

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IRFR6215TRPBF P-Channel 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας Προηγμένη Τεχνολογία Επεξεργασίας

P-Channel

175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

Επιφανειακή Στήριξη (IRFR6215)

Ίσιο Καλώδιο (IRFU6215)

Προηγμένη Τεχνολογία Επεξεργασίας

Γρήγορη Μεταγωγή

Πλήρως Αξιολογημένο σε Χιονοστιβάδα

Χωρίς μόλυβδο

Περιγραφή

Οι πέμπτης γενιάς HEXFETs από την International Rectifier χρησιμοποιούν προηγμένες

τεχνικές επεξεργασίας για να επιτύχουν την χαμηλότερη δυνατή αντίσταση κατά την ενεργοποίηση ανά

περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, σε συνδυασμό με την ταχύτητα γρήγορης μεταγωγής

και τον στιβαρό σχεδιασμό της συσκευής για τον οποίο τα HEXFET Power MOSFETs είναι

καλά γνωστά, παρέχει στον σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική συσκευή

για χρήση σε μια ευρεία ποικιλία εφαρμογών.

Το D-PAK έχει σχεδιαστεί για επιφανειακή στήριξη χρησιμοποιώντας τεχνικές συγκόλλησης με φάση ατμών,

υπέρυθρη ακτινοβολία ή κυματοειδή συγκόλληση. Η έκδοση με ίσιο καλώδιο

(σειρά IRFU) είναι για εφαρμογές στήριξης μέσω οπών. Επίπεδα διάχυσης ισχύος έως 1,5 watt είναι δυνατά σε τυπικές εφαρμογές

επιφανειακής στήριξης.

Απόλυτα Μέγιστα Όρια

Θερμική Αντίσταση

Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά @ T

J = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

IRFR6215TRPBF Infineon P-Channel MOSFET 175°C Θερμοκρασία λειτουργίας Τεχνολογία προηγμένης διαδικασίας

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI