Name: IRFR6215TRPBF Infineon MOSFET de canal P Temperatura de operación 175°C Tecnología de proceso avanzada
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRFR6215TRPBF
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon Chip
Número De Modelo:	IRFR6215TRPBF
Cantidad Mínima De Pedido:	2500
Detalles De Embalaje:	2500PCS/carrete
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

Infineon_IRFR6215_DS_v01_02...EN.pdf

modelo:

IRFR6215TRPBF

Nombre del producto:

Chip Infineon

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ +175°C

Disipación de energía:

110 vatios

Tipo:

SMD/SMT

Corriente continua del dren:

13 A

Voltaje de avería de la Dren-fuente:

Las demás:

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

IRFR6215TRPBF

IRFR6215 Infineon MOSFET de canal P

MOSFET de canal P con tecnología de proceso avanzada

Descripción del Producto

Chip Infineon IRFR6215TRPBF P-Canal 175°C Temperatura de funcionamiento Tecnología avanzada de proceso

Canal P

Temperatura de funcionamiento 175°C

Montado en la superficie (IRFR6215)

El plomo recto (IRFU6215)

Tecnología avanzada de procesos

Cambiar rápidamente

Clasificado como una avalancha

Sin plomo

Descripción

La quinta generación de HEXFETs de International Rectifier utilizan avanzados

técnicas de procesamiento para lograr la menor resistencia de encendido posible por

Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida

y el diseño del dispositivo robusto que los MOSFET de potencia HEXFET son

El diseño de un dispositivo muy eficiente

para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El D-PAK está diseñado para el montaje en superficie utilizando fase de vapor,

La versión de plomo recto

(serie IRFU) es para aplicaciones de montaje a través de agujeros.

Los niveles de disipación de hasta 1,5 vatios son posibles en una superficie típica.

las aplicaciones de montaje.

Calificaciones máximas absolutas

Resistencia térmica

Características eléctricasJ.= 25°C (salvo que se especifique lo contrario)

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

Detalles de los productos

IRFR6215TRPBF Infineon MOSFET de canal P Temperatura de operación 175°C Tecnología de proceso avanzada

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

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Microprocesador del Cree LED

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