logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه Infineon
Created with Pixso.

IRFR6215TRPBF Infineon ماسفت کانال P دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد فناوری فرآیند پیشرفته

IRFR6215TRPBF Infineon ماسفت کانال P دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد فناوری فرآیند پیشرفته

نام تجاری: Infineon Chip
شماره مدل: IRFR6215TRPBF
MOQ: 2500
جزئیات بسته بندی: 2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
مدل:
IRFR6215TRPBF
نام محصول:
تراشه Infineon
دمای عملیاتی:
- 55 درجه سانتیگراد ~ + 175 درجه سانتیگراد
اتلاف نیرو:
110 وات
تایپ کنید:
SMD/SMT
جریان تخلیه مداوم:
13 الف
ولتاژ شکست منبع تخلیه:
150 ولت
قابلیت ارائه:
100000
برجسته کردن:

IRFR6215TRPBF

,

IRFR6215 Infineon ماسفت کانال P

,

ماسفت کانال P فناوری فرآیند پیشرفته

توضیحات محصول

Infineon Chip IRFR6215TRPBF P-Channel 175°C دمای عملیاتی فناوری فرآیند پیشرفته


کانال پی
دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
نصب سطحی (IRFR6215)
سرب مستقیم (IRFU6215)
فناوری فرآیند پیشرفته
سوئیچینگ سریع
دارای رتبه کاملاً بهمنی
بدون سرب

توضیحات
HEXFET های نسل پنجم از International Rectifier از پیشرفته استفاده می کنند
تکنیک های پردازش برای دستیابی به کمترین مقاومت ممکن در هر
منطقه سیلیکونی این مزیت همراه با سرعت سوئیچینگ سریع است
و طراحی دستگاه ناهموار که ماسفت های قدرت HEXFET هستند
به خوبی شناخته شده است، یک دستگاه بسیار کارآمد را در اختیار طراح قرار می دهد
برای استفاده در کاربردهای مختلف
D-PAK برای نصب روی سطح با استفاده از فاز بخار طراحی شده است.
تکنیک های لحیم کاری مادون قرمز یا موجی نسخه مستقیم سرب
(سری IRFU) برای برنامه های نصب از طریق سوراخ است. قدرت
سطوح اتلاف تا 1.5 وات در سطوح معمولی امکان پذیر است
نصب برنامه ها

حداکثر مطلق رتبه بندی
 IRFR6215TRPBF Infineon ماسفت کانال P دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد فناوری فرآیند پیشرفته

مقاومت حرارتی
IRFR6215TRPBF Infineon ماسفت کانال P دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد فناوری فرآیند پیشرفته

مشخصات الکتریکی @ Tجی= 25 درجه سانتیگراد (مگر اینکه خلاف آن مشخص شده باشد)
IRFR6215TRPBF Infineon ماسفت کانال P دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد فناوری فرآیند پیشرفته