logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IRFR6215TRPBF Infineon P-канальный MOSFET, рабочая температура 175°C, передовая технология процесса

IRFR6215TRPBF Infineon P-канальный MOSFET, рабочая температура 175°C, передовая технология процесса

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IRFR6215TRPBF
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
IRFR6215TRPBF
Название продукта:
Чип Инфинеон
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 175°С
Рассеяние мощности:
110 Вт
Тип:
СМД/СМТ
Непрерывное течение стока:
13 a
Пробивное напряжение Сток-источника:
150 В
Поставка способности:
100000
Выделить:

IRFR6215TRPBF

,

IRFR6215 Infineon P-канальный MOSFET

,

Передовой процесс P-канальный MOSFET

Описание продукта

P-канальный MOSFET IRFR6215TRPBF, рабочая температура 175°C, передовая технология обработки


P-канальный
Рабочая температура 175°C
Поверхностный монтаж (IRFR6215)
Прямой вывод (IRFU6215)
Передовая технология обработки
Быстрое переключение
Полностью лавиностойкий
Без свинца

Описание
HEXFET пятого поколения от International Rectifier используют передовые
технологии обработки для достижения наименьшего возможного сопротивления во включенном состоянии на
единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения
и прочной конструкцией прибора, которыми хорошо известны
силовые MOSFET HEXFET, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективный прибор
для использования в широком спектре применений.
D-PAK предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов пайки оплавлением,
инфракрасной или волновой пайки. Версия с прямым выводом
(серия IRFU) предназначена для сквозного монтажа. Уровень рассеиваемой мощности до 1,5 Вт возможен в типичных приложениях
для поверхностного монтажа.
Предельные значения параметров

Тепловое сопротивление
 IRFR6215TRPBF Infineon P-канальный MOSFET, рабочая температура 175°C, передовая технология процесса

Электрические характеристики при T
IRFR6215TRPBF Infineon P-канальный MOSFET, рабочая температура 175°C, передовая технология процесса

J = 25°C (если не указано иное)
IRFR6215TRPBF Infineon P-канальный MOSFET, рабочая температура 175°C, передовая технология процесса