logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Wysoka energia lawinowa

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Wysoka energia lawinowa

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IPT017N12NM6
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
IPT017N12NM6
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Temperatura pracy:
-55°C ~ + 175°C
Rozpraszanie mocy:
395 W
Typ:
SMD/SMT
Ciągły prąd spustowy:
331 A
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

120V OptiMOS 6

,

Wysoka energia lawinowa OptiMOS 6

Opis produktu

Tranzystor mocy Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6, wysoka energia lawinowa 120 V


Funkcje
Kanał N, poziom normalny 
Bardzo niski rezystancja w stanie włączenia RDS(on)
Doskonały ładunek bramki x RDS(on)
produkt (FOM) 
Bardzo niski ładunek odzyskiwania wstecznego(Qrr)
Wysoka energia lawinowa 
Temperatura pracy 175°C 
Zoptymalizowany do przełączania wysokiej częstotliwości 
Poszycie ołowiem wolne od Pb; zgodne z RoHS 
Bezhalogenowe zgodnie z IEC61249-2-21 
Klasa MSL 1 zgodnie z J-STD-020

Walidacja produktu
W pełni kwalifikowany zgodnie z JEDEC dla zastosowań przemysłowych

Maksymalne parametry 
przy TA=25 °C, chyba że określono inaczej
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Wysoka energia lawinowa

Charakterystyka termiczna
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Wysoka energia lawinowa