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Chip Infineon

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Elevata capacità di valanga

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IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Elevata capacità di valanga

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IPT017N12NM6
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IPT017N12NM6

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Temperatura operativa:

-55°C~+175°C

Dissipazione di potenza:

395 w

Tipo:

SMD/SMT

Corrente continua dello scolo:

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

OptiMOS 6 120V

OptiMOS 6 ad alta energia di valanga

Descrizione del prodotto

Transistor di potenza Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6, elevata energia di valanga nominale di 120 V

Caratteristiche

Canale N, livello normale

Resistenza di accensione (Rds(on)) molto bassaRDS(on)

Carica del gate x eccellenteRDS(on)

prodotto (FOM)

Carica di recupero inversa molto bassa(Qrr)

Elevata energia di valanga nominale

Temperatura operativa di 175°C

Ottimizzato per commutazione ad alta frequenza

Placcatura dei terminali senza piombo; conforme a RoHS

Senza alogeni secondo IEC61249-2-21

Classificato MSL 1 secondo J-STD-020

Validazione del prodotto

Completamente qualificato secondo JEDEC per applicazioni industriali

Valori nominali massimi

aTA=25 °C, se non diversamente specificato

Caratteristiche termiche

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

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