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Chip Infineon
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IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta capacidade de energia de avalanche

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IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta capacidade de energia de avalanche
  • Nome

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta capacidade de energia de avalanche

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IPT017N12NM6
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Descrição do produto
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Documento:
infineon-ipt017n12nm6-datas...en.pdf
modelo:
IPT017N12NM6
Nome do produto:
Chip Infineon
Temperatura operacional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
395 W
Tipo:
SMD/SMT
Corrente contínua do dreno:
331A
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

OptiMOS 6 de 120V

,

Alta Energia de Avalanche OptiMOS 6

Descrição do produto

Transistor de Potência Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6, 170 V com alta capacidade de energia de avalanche


Características
Canal N, nível normal 
Resistência de condução (on-resistance) muito baixa RDS(on)
Carga de gate x RDS(on)
produto (FOM) 
Carga de recuperação reversa muito baixa(Qrr)
Alta capacidade de energia de avalanche 
Temperatura de operação de 175°C 
Otimizado para chaveamento de alta frequência 
Revestimento de chumbo livre de Pb; compatível com RoHS 
Livre de halogênio de acordo com IEC61249-2-21 
Classificado como MSL 1 de acordo com J-STD-020

Validação do produto
Totalmente qualificado de acordo com JEDEC para Aplicações Industriais

Classificações máximas 
em TA=25 °C, a menos que especificado de outra forma
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta capacidade de energia de avalanche

Características térmicas
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta capacidade de energia de avalanche
Etiquetas: 

mosfet de potência infineon  

chip infineon  

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