logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V พลังงานหิมะถล่มสูง

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V พลังงานหิมะถล่มสูง

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IPT017N12NM6
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IPT017N12NM6
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
395 วัตต์
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
331 อ
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

120V OptiMOS 6

,

พลังงานหิมะถล่มสูง OptiMOS 6

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V High avalanche energy rating


คุณสมบัติ
N-channel, ระดับปกติ 
ค่าความต้านทานขณะเปิด (on-resistance) ต่ำมาก RDS(on)
ค่าเกตชาร์จ x RDS(on)
ผลิตภัณฑ์ (FOM) 
ค่าประจุย้อนกลับ (reverse recovery charge) ต่ำมาก(Qrr)
ค่าพลังงานหิมะถล่ม (avalanche energy rating) สูง 
อุณหภูมิใช้งาน 175°C 
ปรับให้เหมาะสมสำหรับการสลับความถี่สูง 
การเคลือบตะกั่วปราศจากสารตะกั่ว (Pb-free); เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS 
ปราศจากฮาโลเจนตามมาตรฐาน IEC61249-2-21 
จัดประเภท MSL 1 ตามมาตรฐาน J-STD-020

การตรวจสอบผลิตภัณฑ์
ผ่านการรับรองตามมาตรฐาน JEDEC สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม

พิกัดสูงสุด 
ที่ TA=25 °C, เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V พลังงานหิมะถล่มสูง

คุณสมบัติทางความร้อน
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V พลังงานหิมะถล่มสูง