logo
Goede prijs  Online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
Infineon-chip
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V

Merknaam: Infineon Chip
Modelnummer: IPT017N12NM6
MOQ: 2500
Verpakkingsdetails: 2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
model:
IPT017N12NM6
Productnaam:
Infineon-chip
Bedrijfstemperatuur:
- 55 °C ~ + 175 °C
Vermogensdissipatie:
395 W
Type:
SMD/SMT
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:
331 EEN
Levering vermogen:
100000
Markeren:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

120V OptiMOS 6

,

Hoge lawine-energie OptiMOS 6

Productbeschrijving

Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Hoge lawine-energieclassificatie


Functies
N-kanaal, normaal niveau 
Zeer lage aan-weerstand RDS(aan)
Uitstekende gate lading x RDS(aan)
product(FOM) 
Zeer lage reverse recovery lading(Qrr)
Hoge lawine-energieclassificatie 
175°C bedrijfstemperatuur 
Geoptimaliseerd voor schakelen op hoge frequentie 
Pb-vrije loodcoating; RoHS-conform 
Halogeenvrij volgens IEC61249-2-21 
MSL 1 geclassificeerd volgens J-STD-020

Productvalidatie
Volledig gekwalificeerd volgens JEDEC voor industriële toepassingen

Maximale ratings 
bij TA=25 °C, tenzij anders gespecificeerd
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V

Thermische kenmerken
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V