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Puce Infineon
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IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Haute énergie d'avalanche

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IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Haute énergie d'avalanche
  • Nom

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Haute énergie d'avalanche

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
infineon-ipt017n12nm6-datas...en.pdf
modèle:
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2
Nom du produit:
Puce Infineon
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
395 W
Taper:
CMS/CMS
Courant continu de drain:
331A
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

OptiMOS 6 120V

,

Haute énergie d'avalanche OptiMOS 6

Description du produit

Transistor de puissance Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6, indice d'énergie d'avalanche élevé de 120 V


Caractéristiques
Canal N, niveau normal 
Très faible résistance à l'état passant RDS(on)
Charge de grille excellente x RDS(on)
produit(FOM) 
Très faible charge de récupération inverse(Qrr)
Indice d'énergie d'avalanche élevé 
Température de fonctionnement de 175°C 
Optimisé pour la commutation à haute fréquence 
Plaquage de plomb sans plomb ; conforme RoHS 
Sans halogène selon IEC61249-2-21 
Classé MSL 1 selon J-STD-020

Validation du produit
Entièrement qualifié selon JEDEC pour les applications industrielles

Valeurs nominales maximales 
à TA=25 °C, sauf indication contraire
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Haute énergie d'avalanche

Caractéristiques thermiques
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Haute énergie d'avalanche
Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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