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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
인피니언 칩
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 인피니온 옵티모스 6 MOSFET 120 V 높은 산사태 에너지 등급

IPT017N12NM6 인피니온 옵티모스 6 MOSFET 120 V 높은 산사태 에너지 등급

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IPT017N12NM6
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
모델:
IPT017N12NM6
제품명:
인피니언 칩
작동 온도:
- 55°C ~ + 175°C
전력 소비:
395 w
유형:
SMD/SMT
연속배수 경향:
331A
공급 능력:
100000
강조하다:

IPT017N12NM6 인피니온 옵티모스 6 MOSFET

,

120V OptiMOS 6

,

높은 계곡 에너지 OptiMOS 6

제품 설명

Infineon 칩 IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 전력 트랜지스터, 120V 높은 애벌랜치 에너지 등급


기능
N채널, 일반 레벨 
매우 낮은 온 저항 RDS(on)
우수한 게이트 전하 x RDS(on)
제품(FOM) 
매우 낮은 역회복 전하(Qrr)
높은 애벌랜치 에너지 등급 
175°C 작동 온도 
고주파 스위칭에 최적화됨 
Pb-프리 리드 도금; RoHS 준수 
IEC61249-2-21에 따른 할로겐 프리 
J-STD-020에 따른 MSL 1 등급

제품 검증
산업용 애플리케이션을 위한 JEDEC 표준에 따라 완전 검증됨

최대 정격 
at TA=25 °C, 달리 명시되지 않은 경우
IPT017N12NM6 인피니온 옵티모스 6 MOSFET 120 V 높은 산사태 에너지 등급

열 특성
IPT017N12NM6 인피니온 옵티모스 6 MOSFET 120 V 높은 산사태 에너지 등급