logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Peringkat energi longsoran tinggi

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Peringkat energi longsoran tinggi

Nama Merek: Infineon Chip
Nomor Model: IPT017N12NM6
MOQ: 2500
Detail Kemasan: 2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
model:
IPT017N12NM6
Nama Produk:
Chip Infineon
Suhu Operasional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Pembuangan Daya:
395 w
Jenis:
SMD/SMT
Arus Tiriskan Terus Menerus:
331 A
Menyediakan kemampuan:
100.000
Menyoroti:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

120V OptiMOS 6

,

Energi Longsoran Tinggi OptiMOS 6

Deskripsi Produk

Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Peringkat energi longsoran tinggi


Fitur
Saluran-N, level normal 
Resistansi on sangat rendah RDS(on)
Muatan gerbang x yang sangat baik RDS(on)
produk(FOM) 
Muatan pemulihan terbalik sangat rendah(Qrr)
Peringkat energi longsoran tinggi 
Suhu operasi 175°C 
Dioptimalkan untuk switching frekuensi tinggi 
Pelapisan timah bebas Pb; sesuai RoHS 
Bebas halogen sesuai IEC61249-2-21 
MSL 1 diklasifikasikan sesuai J-STD-020

Validasi produk
Sepenuhnya memenuhi syarat sesuai JEDEC untuk Aplikasi Industri

Peringkat maksimum 
pada TA=25 °C, kecuali dinyatakan lain
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Peringkat energi longsoran tinggi

Karakteristik termal
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Peringkat energi longsoran tinggi