logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه Infineon
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET با ولتاژ 120 ولت و رتبه انرژی بهمنی بالا

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET با ولتاژ 120 ولت و رتبه انرژی بهمنی بالا

نام تجاری: Infineon Chip
شماره مدل: IPT017N12NM6
MOQ: 2500
جزئیات بسته بندی: 2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
مدل:
IPT017N12NM6
نام محصول:
تراشه Infineon
دمای عملیاتی:
- 55 درجه سانتیگراد ~ + 175 درجه سانتیگراد
اتلاف نیرو:
395 W
تایپ کنید:
SMD/SMT
جریان تخلیه مداوم:
331 الف
قابلیت ارائه:
100000
برجسته کردن:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

OptiMOS 6 با ولتاژ 120 ولت

,

OptiMOS 6 با انرژی بهمنی بالا

توضیحات محصول

ترانزیستور قدرت Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6، ولتاژ 120 ولت با رتبه انرژی بهمن بالا


ویژگی ها
کانال N، سطح نرمال
مقاومت بسیار کم در حالت روشنRDS(on)
شارژ گیت عالی xRDS(on)
محصول (FOM)
بار بازیابی معکوس بسیار کم (Qrr)
رتبه انرژی بهمن بالا
دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
بهینه شده برای سوئیچینگ فرکانس بالا
پوشش سرب بدون سرب؛ مطابق با RoHS
بدون هالوژن مطابق با IEC61249-2-21
MSL 1 طبقه بندی شده طبق J-STD-020

اعتبارسنجی محصول
کاملاً واجد شرایط طبق JEDEC برای کاربردهای صنعتی

حداکثر درجه بندی ها
درTA=25 درجه سانتیگراد، مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET با ولتاژ 120 ولت و رتبه انرژی بهمنی بالا

مشخصات حرارتی
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET با ولتاژ 120 ولت و رتبه انرژی بهمنی بالا