logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Дом
О нас
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
решения
Видео
Новости
Свяжитесь мы
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Цитата
Дом
О нас
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
решения
Видео
Блог
Свяжитесь мы
Цитата
Хорошая цена Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Высокий уровень энергии лавины

Все категории

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
Свяжитесь мы
Miss. alice
+86 18802688921
Контакт теперь
Все категории

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Высокий уровень энергии лавины
  • Имя

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Высокий уровень энергии лавины

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IPT017N12NM6
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Описание продукта
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
Документ:
infineon-ipt017n12nm6-datas...en.pdf
модель:
IPT017N12NM6
Название продукта:
Чип Инфинеон
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 175°С
Рассеяние мощности:
395 Вт
Тип:
СМД/СМТ
Непрерывное течение стока:
331 А
Поставка способности:
100000
Выделить:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

120В OptiMOS 6

,

Высокая энергия лавин OptiMOS 6

Описание продукта

Транзистор OptiMOSTM 6 Power-Transistor Infineon Chip IPT017N12NM6, 120 В, высокий рейтинг энергии лавины


Характеристики
N-канальный, нормальный уровень 
Очень низкое сопротивление во включенном состоянии RDS(on)
Отличный заряд затвора x RDS(on)
продукт (FOM) 
Очень низкий заряд обратного восстановления(Qrr)
Высокий рейтинг энергии лавины 
Рабочая температура 175°C 
Оптимизирован для высокочастотного переключения 
Свинцовое покрытие без содержания свинца; соответствует RoHS 
Без галогенов согласно IEC61249-2-21 
Классифицировано как MSL 1 согласно J-STD-020

Валидация продукта
Полностью квалифицировано согласно JEDEC для промышленных применений

Максимальные рейтинги 
при TA=25 °C, если не указано иное
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Высокий уровень энергии лавины

Тепловые характеристики
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Высокий уровень энергии лавины
Теги: 

инфинеон силовой МОП-транзистор  

чип infineon  

инфинеон контроллер PFC

Сопутствующие товары
SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

Получите самую лучшую цену
SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

Получите самую лучшую цену
SAK-TC233LP-32F200F Infineon Чип 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-шаг

SAK-TC233LP-32F200F Infineon Чип 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-шаг

Получите самую лучшую цену
SAK-TC233L-32F200N Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

SAK-TC233L-32F200N Infineon Chip AC 32-битный однокристальный микроконтроллер AC-Step

Получите самую лучшую цену
SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Одночиповый микроконтроллер Стандартный тип с HSM и без него

SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Одночиповый микроконтроллер Стандартный тип с HSM и без него

Получите самую лучшую цену