logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Xếp hạng năng lượng tuyết lở cao

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Xếp hạng năng lượng tuyết lở cao

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IPT017N12NM6
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IPT017N12NM6
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ +175°C
Tản điện:
395 w
Kiểu:
SMD/SMT
Dòng xả liên tục:
331 A
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

120V OptiMOS 6

,

Năng lượng tuyết lở cao OptiMOS 6

Mô tả sản phẩm

Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Khả năng chịu năng lượng tuyết lở cao


Tính năng
Kênh N, mức bình thường 
Điện trở bật rất thấp RDS(on)
Điện tích cổng x RDS(on)
sản phẩm (FOM) 
Điện tích phục hồi ngược rất thấp(Qrr)
Khả năng chịu năng lượng tuyết lở cao 
Nhiệt độ hoạt động 175°C 
Tối ưu hóa cho chuyển mạch tần số cao 
Mạ chì không chì; tuân thủ RoHS 
Không chứa halogen theo IEC61249-2-21 
Phân loại MSL 1 theo J-STD-020

Xác nhận sản phẩm
Đủ điều kiện theo JEDEC cho Ứng dụng Công nghiệp

Xếp hạng tối đa 
tại TA=25 °C, trừ khi có quy định khác
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Xếp hạng năng lượng tuyết lở cao

Đặc tính nhiệt
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Xếp hạng năng lượng tuyết lở cao