logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Infineon Chip
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Υψηλή ενεργειακή βαθμολογία χιονοστιβάδας

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Υψηλή ενεργειακή βαθμολογία χιονοστιβάδας

Επωνυμία: Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου: IPT017N12NM6
MOQ: 2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
μοντέλο:
IPT017N12NM6
Όνομα προϊόντος:
Infineon Chip
Θερμοκρασία λειτουργίας:
- 55 °C ~ + 175 °C
Διαρροή Ισχύος:
395 W
Τύπος:
SMD/SMT
Συνεχές ρεύμα αγωγών:
331 Α
Δυνατότητα προσφοράς:
100000
Επισημαίνω:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

120V OptiMOS 6

,

Υψηλή Ενέργεια Χιονοστιβάδας OptiMOS 6

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Υψηλή ένταση ενέργειας χιονοστιβάδας


Χαρακτηριστικά
N-κανάλι, κανονικό επίπεδο
Πολύ χαμηλή αντίστασηRΔΕΣ (σε λειτουργία)
Εξαιρετική φόρτιση πύλης xRΔΕΣ (σε λειτουργία)
προϊόν ((FOM)
Πολύ χαμηλό αντίστροφο τέλος ανάκτησηςQερ)
Υψηλή ενεργειακή ικανότητα χιονοστιβάδας
Θερμοκρασία λειτουργίας 175°C
Βελτιστοποιημένο για τη μετάβαση υψηλής συχνότητας
Επικάλυψη με μόλυβδο χωρίς Pb, συμβατή με το RoHS
Χωρίς αλογόντα σύμφωνα με την IEC61249-2-21
MSL 1 που ταξινομείται σύμφωνα με την J-STD-020

Η επικύρωση του προϊόντος
Πλήρως ειδικευμένοι σύμφωνα με το JEDEC για βιομηχανικές εφαρμογές

Μέγιστες αξιολογήσεις
στοΤΑ= 25 °C, εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Υψηλή ενεργειακή βαθμολογία χιονοστιβάδας

Θερμικά χαρακτηριστικά
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Υψηλή ενεργειακή βαθμολογία χιονοστιβάδας