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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V उच्च हिमस्खलन ऊर्जा रेटिंग

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V उच्च हिमस्खलन ऊर्जा रेटिंग

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: IPT017N12NM6
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
IPT017N12NM6
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
परिचालन तापमान:
- 55 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
395 डब्ल्यू
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
निरंतर नाली वर्तमान:
331 ए
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

IPT017N12NM6 इनफिनियन ऑप्टिमॉस 6 एमओएसएफईटी

,

120V OptiMOS 6

,

उच्च हिमस्खलन ऊर्जा OptiMOS 6

उत्पाद वर्णन

इनफिनियन चिप IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 पावर-ट्रांजिस्टर, 120 वी उच्च हिमस्खलन ऊर्जा रेटिंग


विशेषताएं
एन चैनल, सामान्य स्तर
बहुत कम प्रतिरोधआरडी.एस.
उत्कृष्ट गेट चार्ज xआरडी.एस.
उत्पाद ((FOM)
बहुत कम रिवर्स रिकवरी चार्जQआरआर)
उच्च हिमस्खलन ऊर्जा रेटिंग
175°C परिचालन तापमान
उच्च आवृत्ति स्विचिंग के लिए अनुकूलित
पीबी-मुक्त सीसा लेपित; RoHS अनुरूप
IEC61249-2-21 के अनुसार हेलोजन मुक्त
MSL 1 J-STD-020 के अनुसार वर्गीकृत

उत्पाद सत्यापन
औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए JEDEC के अनुसार पूरी तरह से योग्य

अधिकतम रेटिंग
परटीए=25 °C, जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V उच्च हिमस्खलन ऊर्जा रेटिंग

थर्मल विशेषताएं
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V उच्च हिमस्खलन ऊर्जा रेटिंग