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Detalles de los productos

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Chip Infineon
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IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta calificación de energía de avalancha

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta calificación de energía de avalancha

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
China
modelo:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Nombre del producto:
Chip Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ +175°C
Disipación de energía:
395 W
Tipo:
SMD/SMT
Corriente continua del dren:
331A
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

,

OptiMOS 6 de 120V

,

Alta Energía de Avalancha OptiMOS 6

Descripción del Producto

Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 Transistor de Potencia, 120 V Alta capacidad de energía de avalancha


Características
Canal N, nivel normal 
Resistencia de encendido muy baja RDS(on)
Carga de puerta x excelente RDS(on)
producto(FOM) 
Carga de recuperación inversa muy baja(Qrr)
Alta capacidad de energía de avalancha 
Temperatura de funcionamiento de 175°C 
Optimizado para conmutación de alta frecuencia 
Recubrimiento de plomo libre de Pb; Cumple con RoHS 
Libre de halógenos según IEC61249-2-21 
Clasificado MSL 1 según J-STD-020

Validación del producto
Totalmente calificado según JEDEC para Aplicaciones Industriales

Máximas clasificaciones 
a TA=25 °C, a menos que se especifique lo contrario
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta calificación de energía de avalancha

Características térmicas
IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Alta calificación de energía de avalancha