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IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Hohe Lawinenenergie-Nennleistung

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IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET 120 V Hohe Lawinenenergie-Nennleistung

Markenname:	Infineon Chip
Modellnummer:	IPT017N12NM6
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Modell:

IPT017N12NM6

Produktname:

Infineon-Chip

Betriebstemperatur:

- 55 °C ~ + 175 °C

Verlustleistung:

395 w

SMD/SMT

Ununterbrochener Abfluss-Strom:

331 A

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

IPT017N12NM6 Infineon OptiMOS 6 MOSFET

120V OptiMOS 6

Hohe Lawinenenergie OptiMOS 6

Produktbeschreibung

Infineon Chip IPT017N12NM6 OptiMOSTM 6 Leistungstransistor, 120 V Hohe Lawinenenergie-Nennleistung

Merkmale

N-Kanal, Normalpegel

Sehr geringer Einschaltwiderstand RDS(on)

Exzellente Gate-Ladung x RDS(on)

Produkt (FOM)

Sehr geringe Sperrladung(Qrr)

Hohe Lawinenenergie-Nennleistung

175°C Betriebstemperatur

Optimiert für Hochfrequenzschaltung

Pb-freie Lötmittelbeschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert gemäß J-STD-020

Produktvalidierung

Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen

Maximale Nennwerte

bei TA=25 °C, sofern nicht anders angegeben

Thermische Eigenschaften

Schlagworte:

Infineon Power MOSFET

Infineon Chip

Infineon PFC Controller

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