Chip micron MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V tương thích, 8-Bank, đa tốc độ
Mô tả
DDR3L SDRAM (1.35V) là một phiên bản điện áp thấp của
DDR3 (1.5V) SDRAM
(Die Rev.: E) thông số kỹ thuật khi chạy trong
1Chế độ tương thích.5V.
Đặc điểm
• VDD= VDDQ= 1,35V (1,283~1,45V)
• Tương thích ngược với VDD= VDDQ= 1,5V ± 0,075V
Hỗ trợ các thiết bị DDR3L trở lại
chịu được trong các ứng dụng 1,5V
• Dấu hiệu dữ liệu hai chiều khác biệt
• 8n-bit prefetch kiến trúc
• Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CK, CK#)
• 8 ngân hàng nội bộ
• Kết thúc danh nghĩa và năng động trên die (ODT)
cho tín hiệu dữ liệu, đèn điện và mặt nạ
• Lưu ý CAS (READ) có thể lập trình (CL)
• Lưu ý CAS additive latency (AL) có thể lập trình
• Lưu ý CAS (WRITE) có thể lập trình (CWL)
• Chiều dài bùng cố định (BL) là 8 và bùng cắt (BC) là 4
(thông qua bộ đăng ký chế độ [MRS])
• Có thể chọn BC4 hoặc BL8 trên bay (OTF)
• Chế độ tự làm mới
• TCtừ 0°C đến +95°C
64ms, 8192 chu kỳ làm mới ở 0°C đến +85°C
32ms ở +85°C đến +95°C
• Nhiệt độ tự làm mới (SRT)
• Tự cập nhật tự động (ASR)
• Viết bằng
• Sổ đăng ký đa mục đích
• Định chuẩn trình điều khiển đầu ra
Các tùy chọn
Cấu hình 1 Gig x 4 1G4 512 Meg x 8 512M8 256 Meg x 16 ¢ 256M16 Phối hợp FBGA (không chứa Pb) x4, x8 78 quả bóng (8mm x 10,5mm) Rev. P DA Gói FBGA (không chứa Pb) x16 96 quả bóng (8mm x 14mm) Rev. P ️ TW Thời gian thời gian chu kỳ 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) 1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) Các tùy chọn đặc biệt Sản phẩm vòng đời cao cấp (PLP) Nhiệt độ hoạt động Thương mại (0 °C ≤ TC ≤ +95 °C) Không có Công nghiệp (TC ≤ +95 °C) Đánh giá
Bảng này phác thảo các thông số thời gian chính của Micron DDR3L SDRAM trên ba cấp tốc độ: -093 (2133 MT / s, thời gian 14-14-14, 13.09ns tRCD / tRP / CL), -107 (1866 MT / s, thời gian 13-13-13, 13.91ns tRCD/tRP/CL), và -125 (1600 MT / s, thời gian 11-11-11, 13,75ns tRCD / tRP / CL). Nó cũng lưu ý khả năng tương thích ngược: -093 hỗ trợ 1866 MT / s (CL = 13) và 1600 MT / s (CL = 11), trong khi -107 hỗ trợ 1600 MT / s (CL = 11).