logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Micron
Created with Pixso.

DDR3L Tốc độ cao MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V SDRAM Điện áp thấp

DDR3L Tốc độ cao MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V SDRAM Điện áp thấp

Tên thương hiệu: Micron
Số mô hình: MT41K256M16TW-107:P
MOQ: 500 CÁI
Chi tiết đóng gói: 500 Cái/Cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
Tên sản phẩm:
Micron
người mẫu:
MT41K256M16TW-107:P
Độ rộng bus dữ liệu:
16 bit
Tần số xung nhịp tối đa:
933 MHz
Điện áp nguồn:
1.283V-1.45V
Nhiệt độ hoạt động:
0°C~+ 95°C
Kiểu:
SMD/SMT
Khả năng cung cấp:
10000
Làm nổi bật:

MT41K256M16TW-107:P

,

DDR3L SDRAM Micron Chips

,

Micron Chips 8 Bank

Mô tả sản phẩm

Chip micron MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V tương thích, 8-Bank, đa tốc độ

 

Mô tả
DDR3L SDRAM (1.35V) là một phiên bản điện áp thấp của
DDR3 (1.5V) SDRAM
(Die Rev.: E) thông số kỹ thuật khi chạy trong
1Chế độ tương thích.5V.
 
Đặc điểm
• VDD= VDDQ= 1,35V (1,283~1,45V)
• Tương thích ngược với VDD= VDDQ= 1,5V ± 0,075V
Hỗ trợ các thiết bị DDR3L trở lại
chịu được trong các ứng dụng 1,5V
• Dấu hiệu dữ liệu hai chiều khác biệt
• 8n-bit prefetch kiến trúc
• Các đầu vào đồng hồ khác biệt (CK, CK#)
• 8 ngân hàng nội bộ
• Kết thúc danh nghĩa và năng động trên die (ODT)
cho tín hiệu dữ liệu, đèn điện và mặt nạ
• Lưu ý CAS (READ) có thể lập trình (CL)
• Lưu ý CAS additive latency (AL) có thể lập trình
• Lưu ý CAS (WRITE) có thể lập trình (CWL)
• Chiều dài bùng cố định (BL) là 8 và bùng cắt (BC) là 4
(thông qua bộ đăng ký chế độ [MRS])
• Có thể chọn BC4 hoặc BL8 trên bay (OTF)
• Chế độ tự làm mới
• TCtừ 0°C đến +95°C
64ms, 8192 chu kỳ làm mới ở 0°C đến +85°C
32ms ở +85°C đến +95°C
• Nhiệt độ tự làm mới (SRT)
• Tự cập nhật tự động (ASR)
• Viết bằng
• Sổ đăng ký đa mục đích
• Định chuẩn trình điều khiển đầu ra
 
Các tùy chọn
Cấu hình
1 Gig x 4 1G4
512 Meg x 8 512M8
256 Meg x 16 ¢ 256M16
Phối hợp FBGA (không chứa Pb) x4, x8
78 quả bóng (8mm x 10,5mm) Rev. P DA
Gói FBGA (không chứa Pb) x16
96 quả bóng (8mm x 14mm) Rev. P ️ TW
Thời gian thời gian chu kỳ
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133)
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
Các tùy chọn đặc biệt
Sản phẩm vòng đời cao cấp (PLP)
Nhiệt độ hoạt động
Thương mại (0 °C ≤ TC ≤ +95 °C) Không có
Công nghiệp (TC ≤ +95 °C)
Đánh giá
 
Bảng này phác thảo các thông số thời gian chính của Micron DDR3L SDRAM trên ba cấp tốc độ: -093 (2133 MT / s, thời gian 14-14-14, 13.09ns tRCD / tRP / CL), -107 (1866 MT / s, thời gian 13-13-13, 13.91ns tRCD/tRP/CL), và -125 (1600 MT / s, thời gian 11-11-11, 13,75ns tRCD / tRP / CL). Nó cũng lưu ý khả năng tương thích ngược: -093 hỗ trợ 1866 MT / s (CL = 13) và 1600 MT / s (CL = 11), trong khi -107 hỗ trợ 1600 MT / s (CL = 11).
DDR3L Tốc độ cao MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V SDRAM Điện áp thấp
DDR3L Tốc độ cao MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V SDRAM Điện áp thấp