logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه های میکرون
Created with Pixso.

DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips با سرعت چندگانه 8 بانک ولتاژ پایین 1.35 ولت SDRAM

DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips با سرعت چندگانه 8 بانک ولتاژ پایین 1.35 ولت SDRAM

نام تجاری: Micron
شماره مدل: MT41K256M16TW-107:P
MOQ: 500 عدد
جزئیات بسته بندی: 500 عدد / قرقره
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
نام محصول:
میکرون
مدل:
MT41K256M16TW-107:P
عرض گذرگاه داده:
16 بیت
حداکثر فرکانس ساعت:
933 مگاهرتز
ولتاژ منبع تغذیه:
1.283 V-1.45 V
دمای عملیاتی:
0°C~+95°C
تایپ کنید:
SMD/SMT
قابلیت ارائه:
10000
برجسته کردن:

MT41K256M16TW-107:P

,

DDR3L SDRAM Micron Chips

,

8 بانک Micron Chips

توضیحات محصول

تراشه‌های Micron MT41K256M16TW-107:P سازگار با 1.35 ولت/1.5 ولت، 8 بانک، چند سرعته

 

توضیحات
DDR3L SDRAM (1.35 ولت) نسخه کم ولتاژ
DDR3 (1.5 ولت) SDRAM است. به دیتاشیت
DDR3 (1.5 ولت) SDRAM
(نسخه دای: E) هنگام کار در
 
حالت سازگار با 1.5 ولت مراجعه کنید.
ویژگی‌ها• سازگاری با عقب‌گرد با VDD = VDDQ
= 1.35 ولت (1.283–1.45 ولت) • سازگاری با عقب‌گرد با VDD = VDDQ
= 1.5 ولت ±0.075 ولت
– پشتیبانی از دستگاه‌های DDR3L برای سازگاری با عقب‌گرد در برنامه‌های 1.5 ولت
• سیگنال داده دوطرفه دیفرانسیلی
• معماری پیش‌بارگذاری 8n-بیتی
• ورودی‌های کلاک دیفرانسیلی (CK, CK#)
• 8 بانک داخلی
• پایان‌دهی اسمی و پویا روی تراشه (ODT)
برای سیگنال‌های داده، سیگنال و ماسک
• تأخیر قابل برنامه‌ریزی CAS (خواندن) (CL)
• تأخیر افزایشی قابل برنامه‌ریزی CAS منتشر شده (AL)
• تأخیر قابل برنامه‌ریزی CAS (نوشتن) (CWL)
• طول انفجار ثابت (BL) 8 و برش انفجار (BC) 4
(از طریق رجیستر حالت [MRS])
• BC4 یا BL8 قابل انتخاب در لحظه (OTF)
• حالت خود-بازنشانی
• TC از 0 درجه سانتیگراد تا +95 درجه سانتیگراد
– بازنشانی 64 میلی‌ثانیه، 8192 چرخه در دمای 0 درجه سانتیگراد تا +85 درجه سانتیگراد
– 32 میلی‌ثانیه در دمای +85 درجه سانتیگراد تا +95 درجه سانتیگراد
• دمای خود-بازنشانی (SRT)
• خود-بازنشانی خودکار (ASR)
• تراز نوشتن
• رجیستر چند منظوره
• کالیبراسیون درایور خروجی
 
گزینه‌ها
پیکربندی
1 گیگابایت × 4 — 1G4
512 مگابایت × 8 — 512M8
256 مگابایت × 16 — 256M16
بسته FBGA (بدون سرب) – x4, x8
78 توپ (8 میلی‌متر × 10.5 میلی‌متر) نسخه P — DA
بسته FBGA (بدون سرب) – x16
96 توپ (8 میلی‌متر × 14 میلی‌متر) نسخه P — TW
زمان‌بندی – زمان چرخه
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
گزینه‌های ویژه
محصول چرخه عمر ممتاز (PLP) — X
دمای عملیاتی
تجاری (0 درجه سانتیگراد ≤ TC ≤ +95 درجه سانتیگراد) — هیچ
صنعتی (–40 درجه سانتیگراد ≤ TC ≤ +95 درجه سانتیگراد) — IT
نسخه — P 
 
این جدول پارامترهای کلیدی زمان‌بندی Micron DDR3L SDRAM را در سه درجه سرعت نشان می‌دهد: -093 (2133 MT/s، زمان‌بندی 14-14-14، 13.09ns tRCD/tRP/CL)، -107 (1866 MT/s، زمان‌بندی 13-13-13، 13.91ns tRCD/tRP/CL)، و -125 (1600 MT/s، زمان‌بندی 11-11-11، 13.75ns tRCD/tRP/CL). همچنین سازگاری با عقب‌گرد را ذکر می‌کند: -093 از 1866 MT/s (CL=13) و 1600 MT/s (CL=11) پشتیبانی می‌کند، در حالی که -107 از 1600 MT/s (CL=11) پشتیبانی می‌کند.
DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips با سرعت چندگانه 8 بانک ولتاژ پایین 1.35 ولت SDRAM
DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips با سرعت چندگانه 8 بانک ولتاژ پایین 1.35 ولت SDRAM