logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
Mikron çipleri
Created with Pixso.

Çok Hızlı DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Çipleri 8 Bank 1.35V Düşük Voltaj SDRAM

Çok Hızlı DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Çipleri 8 Bank 1.35V Düşük Voltaj SDRAM

Marka Adı: Micron
Model Numarası: MT41K256M16TW-107:P
Adedi: 500 adet
Paketleme Detayları: 500 Adet / Makara
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
Ürün adı:
Mikron
modeli:
MT41K256M16TW-107:P
Veri Yolu Genişliği:
16 bit
Maksimum saat frekansı:
933 MHz
Güç kaynağı voltajı:
1.283V-1.45V
Çalışma Sıcaklığı:
0 °C~+ 95 °C
Tip:
SMD/SMT
Yetenek temini:
10000
Vurgulamak:

MT41K256M16TW-107:P

,

DDR3L SDRAM Micron Çipleri

,

8 Bank Micron Çipleri

Ürün Açıklaması

Micron MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V Uyumlu, 8 Banklı, Çok Hızlı

 

Açıklama
DDR3L SDRAM (1.35V),
DDR3 (1.5V) SDRAM'in düşük voltajlı bir versiyonudur.
1.5V uyumlu modda çalışırken
DDR3 (1.5V) SDRAM
 
(Die Rev.: E) veri sayfası spesifikasyonlarına bakın.
Özellikler• VDD = VDDQ
= 1.35V (1.283–1.45V) • VDD = VDDQ
= 1.5V ±0.075V
ile geriye dönük uyumlu
– DDR3L cihazlarının 1.5V uygulamalarında geriye dönük uyumlu olmasını destekler
• Diferansiyel çift yönlü veri strobe • 8bit ön alım mimarisi
• Diferansiyel saat girişleri (CK, CK#)
• 8 dahili bank
• Veri, strobe ve maskeleme sinyalleri için nominal ve dinamik yerleşik sonlandırma (ODT)
• Programlanabilir CAS (OKU) gecikmesi (CL)
• Programlanabilir yayınlanmış CAS ek gecikmesi (AL)
• Programlanabilir CAS (YAZ) gecikmesi (CWL)
• Sabit burst uzunluğu (BL) 8 ve burst chop (BC) 4
(mod kayıt seti [MRS] aracılığıyla)
• Seçilebilir BC4 veya BL8 anında (OTF)
• Kendi kendine yenileme modu
• T
C 0°C ila +95°C arası – 0°C ila +85°C'de 64ms, 8192 döngü yenileme
– +85°C ila +95°C'de 32ms
• Kendi kendine yenileme sıcaklığı (SRT)
• Otomatik kendi kendine yenileme (ASR)
• Yazma seviyeleme
• Çok amaçlı kayıt
• Çıkış sürücü kalibrasyonu
Seçenekler
 
Yapılandırma
1 Gig x 4 — 1G4
512 Meg x 8 — 512M8
256 Meg x 16 — 256M16
FBGA paket (Kurşunsuz) — x4, x8
78 bally (8mm x 10.5mm) Rev. P — DA
FBGA paket (Kurşunsuz) — x16
96 bally (8mm x 14mm) Rev. P — TW
Zamanlama — döngü süresi
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
Özel Seçenekler
Premium Yaşam Döngüsü Ürünü (PLP) — X
Çalışma sıcaklığı
Ticari (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — Yok
Endüstriyel (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
Revizyon — P 
Bu tablo, Micron DDR3L SDRAM'in üç hız sınıfındaki temel zamanlama parametrelerini özetlemektedir: -093 (2133 MT/s, 14-14-14 zamanlaması, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, 13-13-13 zamanlaması, 13.91ns tRCD/tRP/CL) ve -125 (1600 MT/s, 11-11-11 zamanlaması, 13.75ns tRCD/tRP/CL). Ayrıca geriye dönük uyumluluğu da belirtir: -093, 1866 MT/s (CL=13) ve 1600 MT/s (CL=11) desteklerken, -107, 1600 MT/s (CL=11) destekler.
 
Çok Hızlı DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Çipleri 8 Bank 1.35V Düşük Voltaj SDRAM
Çok Hızlı DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Çipleri 8 Bank 1.35V Düşük Voltaj SDRAM