logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Τσιπ Micron
Created with Pixso.

Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V Low Voltage SDRAM

Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V Low Voltage SDRAM

Επωνυμία: Micron
Αριθμός μοντέλου: MT41K256M16TW-107:P
MOQ: 500 ΤΕΜ
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 500pcs/reel
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Έγγραφο:
Όνομα προϊόντος:
Μικρόν
μοντέλο:
MT41K256M16TW-107:P
Πλάτος διαύλου δεδομένων:
16 bit
Μέγιστη συχνότητα ρολογιού:
933 MHZ
Τάση τροφοδοσίας:
1,283 V-1,45 V
Θερμοκρασία λειτουργίας:
0 °C~+ 95 °C
Τύπος:
SMD/SMT
Δυνατότητα προσφοράς:
10000
Επισημαίνω:

MT41K256M16TW-107:P

,

DDR3L SDRAM Micron Chips

,

8 Bank Micron Chips

Περιγραφή προϊόντος

Τσιπάκια μικροκυμάτων MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V Συμβατό, 8-Τράπεζα, Πολλαπλές Ταχύτητες

 

Περιγραφή
Η DDR3L SDRAM (1.35V) είναι μια χαμηλής τάσης έκδοση της
DDR3 (1.5V) SDRAM. Αναφέρεται στην DDR3 (1.5V) SDRAM
(Die Rev.: E) προδιαγραφές δελτίου δεδομένων κατά την εκτέλεση
1.5V συμβατή λειτουργία.
 
Χαρακτηριστικά
• VΔΔ= VDDQ= 1,35V (1,283·1,45V)
• Αντίστροφη συμβατότητα με το VΔΔ= VDDQ= 1,5V ±0,075V
Υποστηρίζει συσκευές DDR3L για να είναι οπισθοδρομικές
ανθεκτικό σε εφαρμογές 1.5V
• Διαφορετικό δικατευθυντικό στροβίδιο δεδομένων
• 8n- αρχιτεκτονική bit prefetch
• Διαφορετικές εισροές ρολογιού (CK, CK#)
• 8 εσωτερικές τράπεζες
• Ονομαστική και δυναμική τερματισμός (ODT)
για σήματα δεδομένων, στροβίδας και μάσκας
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS (READ) (CL)
• Προγραμματιζόμενη καθυστέρηση πρόσθετης CAS (AL)
• Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS (WRITE) (CWL)
• Σταθερό μήκος εκρήξεως (BL) 8 και εκρήξεως (BC) 4
(μέσω του συνόλου καταλόγου συνθηκών [MRS])
• Επιλέξιμη BC4 ή BL8 on-the-fly (OTF)
• Τρόπος αυτοανανέωσης
• ΤΓαπό 0°C έως +95°C
- 64ms, 8192 κύκλους ανανέωσης σε 0°C έως +85°C
32 ms σε θερμοκρασία από +85°C έως +95°C
• Θέρμανση αυτοανανέωσης (SRT)
• Αυτόματη ανανέωση (ASR)
• Γράψτε ισοπέδωση
• Πολυεπιχειρησιακό μητρώο
• Κλιματισμός οδηγού εξόδου
 
Επιλογές
Διαμόρφωση
1 Γκιγκ x 4 1Γ4
512 Meg x 8 512M8
256 Μεγκ x 16 ∙ 256Μ16
Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) x4, x8
78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. P DA
Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) x16
96-σφαίρα (8mm x 14mm)
Χρονολόγηση ∙ χρόνος κύκλου
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133)
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) -125
Ειδικές επιλογές
Προϊόν του κύκλου ζωής premium (PLP)
Θερμοκρασία λειτουργίας
Εμπορικά (0 °C ≤ TC ≤ +95 °C) ∆εν υπάρχουν
Βιομηχανική (~40°C ≤ TC ≤ +95°C)
Αναθεώρηση
 
Ο πίνακας αυτός περιγράφει τις βασικές παραμέτρους συγχρονισμού της Micron DDR3L SDRAM σε τρεις βαθμούς ταχύτητας: -093 (2133 MT/s, 14-14-14 συγχρονισμός, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, 13-13-13 συγχρονισμός, 13.91ns tRCD/tRP/CL)Σημειώνεται επίσης η συμβατότητα προς τα πίσω: -093 υποστηρίζει 1866 MT/s (CL=13) και 1600 MT/s (CL=11), ενώ -107 υποστηρίζει 1600 MT/s (CL=11).
Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V Low Voltage SDRAM
Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V Low Voltage SDRAM