Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Микронные чипы

Многоскоростная DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V низковольтная SDRAM

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Многоскоростная DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V низковольтная SDRAM

Название бренда:	Micron
Номер модели:	МТ41К256М16ТВ-107:П
минимальный заказ:	500 шт.
Детали упаковки:	500pcs/reel
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

микрон

модель:

МТ41К256М16ТВ-107:П

Ширина шины данных:

16 бит

Максимальная тактовая частота:

933 MHz

Напряжение питания:

1,283 В-1,45 В

Рабочая температура:

0 °С~+ 95 °С

СМД/СМТ

Поставка способности:

10000

Выделить:

МТ41К256М16ТВ-107:П

DDR3L SDRAM Micron Chips

8 Bank Micron Chips

Описание продукта

Микросхемы Micron MT41K256M16TW-107:P, совместимые с 1.35В/1.5В, 8 банков, мультискоростные

Описание

DDR3L SDRAM (1.35В) — это версия SDRAM DDR3 (1.5В) с низким напряжением. Обратитесь к техническому описанию SDRAM DDR3 (1.5В) (ревизия кристалла: E) при работе в совместимом режиме 1.5В.

Совместимый режим 1.5В.

Характеристики

• V

= VDDQ = 1.5В ±0.075В– Поддерживает обратную совместимость устройств DDR3L в приложениях 1.5ВDD

= VDDQ = 1.5В ±0.075В– Поддерживает обратную совместимость устройств DDR3L в приложениях 1.5В• Дифференциальный двунаправленный строб данных

• Архитектура с предвыборкой 8

-бит

• Дифференциальные входы тактового сигнала (CK, CK#)• 8 внутренних банков• Номинальное и динамическое встроенное согласование (ODT) для сигналов данных, строба и маски

• Программируемая задержка CAS (ЧТЕНИЕ) (CL)

• Программируемая дополнительная задержка CAS (POSTED CAS ADDITIVE LATENCY) (AL)

• Программируемая задержка CAS (ЗАПИСЬ) (CWL)

• Фиксированная длина пакета (BL) 8 и усечение пакета (BC) 4 (через регистр режимов [MRS])

• Выбираемый BC4 или BL8 на лету (OTF)

• Режим самообновления

• T

от 0°C до +95°C

– 64 мс, 8192 циклов обновления при 0°C до +85°C

– 32 мс при +85°C до +95°C

• Температура самообновления (SRT)• Автоматическое самообновление (ASR)• Выравнивание записи

• Многоцелевой регистр

• Калибровка выходного драйвера

Опции

Конфигурация

1 гигабайт x 4 — 1G4

512 мегабайт x 8 — 512M8

256 мегабайт x 16 — 256M16

Корпус FBGA (без свинца) — x4, x8

78 шариков (8 мм x 10,5 мм) Ревизия P — DA
Корпус FBGA (без свинца) — x16
96 шариков (8 мм x 14 мм) Ревизия P — TW
Время — время цикла
938 пс при CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1,07 нс при CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1,25 нс при CL = 11 (DDR3-1600) — -125
Специальные опции
Продукт премиум-жизненного цикла (PLP) — X
Рабочая температура
Коммерческая (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — Нет
Промышленная (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
Ревизия — P
Эта таблица содержит основные параметры времени работы DDR3L SDRAM от Micron для трех скоростных классов: -093 (2133 МТ/с, время 14-14-14, 13,09 нс tRCD/tRP/CL), -107 (1866 МТ/с, время 13-13-13, 13,91 нс tRCD/tRP/CL) и -125 (1600 МТ/с, время 11-11-11, 13,75 нс tRCD/tRP/CL). В ней также указана обратная совместимость: -093 поддерживает 1866 МТ/с (CL=13) и 1600 МТ/с (CL=11), а -107 поддерживает 1600 МТ/с (CL=11).

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Многоскоростная DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V низковольтная SDRAM

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI