Name: Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V SDRAM de baixa voltagem
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107: P
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Micron
Número do modelo:	MT41K256M16TW-107: P
Quantidade mínima:	500 PCS
Detalhes da embalagem:	500pcs/reel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

Micron_07-31-2025_MT41K.pdf

Nome do produto:

Mícron

modelo:

MT41K256M16TW-107: P

Largura do barramento de dados:

16 bits

Frequência máxima do clock:

933 megahertz

Tensão de alimentação:

1,283V-1,45V

Temperatura operacional:

0°C~+ 95°C

Tipo:

SMD/SMT

Habilidade da fonte:

10.000

Destacar:

MT41K256M16TW-107: P

DDR3L SDRAM Micron Chips

8 Bank Micron Chips

Descrição do produto

Micron chips MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V Compatível, 8-Bank, Multi-Speed

Descrição

DDR3L SDRAM (1.35V) é uma versão de baixa voltagem do

DDR3 (1.5V) SDRAM. Consulte as especificações da folha de dados

DDR3 (1.5V) SDRAM (Rev. Die: E) ao operar em

modo compatível com 1.5V.

Recursos

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Compatível com versões anteriores para VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Suporta dispositivos DDR3L para serem compatíveis com versões anteriores em aplicações de 1.5V

• Dedo de dados bidirecional diferencial

• Arquitetura de prefetch de 8

n-bit • Entradas de clock diferenciais (CK, CK#)

• 8 bancos internos

• Terminação nominal e dinâmica on-die (ODT)

para sinais de dados, strobe e máscara

• Latência programável de CAS (READ) (CL)

• Latência aditiva de CAS postada programável (AL)

• Latência programável de CAS (WRITE) (CWL)

• Comprimento de burst fixo (BL) de 8 e corte de burst (BC) de 4

(através do conjunto de registradores de modo [MRS])

• BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)

• Modo de auto-refresh

• T

C de 0°C a +95°C – Refresh de 64ms, 8192 ciclos a 0°C a +85°C

– 32ms a +85°C a +95°C

• Temperatura de auto-refresh (SRT)

• Auto-refresh automático (ASR)

• Nivelamento de escrita

• Registrador multifuncional

• Calibração do driver de saída

Opções

Configuração

1 Gig x 4 — 1G4
512 Meg x 8 — 512M8
256 Meg x 16 — 256M16
Pacote FBGA (sem chumbo) — x4, x8
78 esferas (8mm x 10.5mm) Rev. P — DA
Pacote FBGA (sem chumbo) — x16
96 esferas (8mm x 14mm) Rev. P — TW
Tempo — tempo de ciclo
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
Opções Especiais
Produto de Ciclo de Vida Premium (PLP) — X
Temperatura de operação
Comercial (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — Nenhum
Industrial (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
Revisão — P
Esta tabela descreve os principais parâmetros de tempo da DDR3L SDRAM da Micron em três velocidades: -093 (2133 MT/s, tempo 14-14-14, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, tempo 13-13-13, 13.91ns tRCD/tRP/CL) e -125 (1600 MT/s, tempo 11-11-11, 13.75ns tRCD/tRP/CL). Também observa a compatibilidade com versões anteriores: -093 suporta 1866 MT/s (CL=13) e 1600 MT/s (CL=11), enquanto -107 suporta 1600 MT/s (CL=11).

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

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Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

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NeXperia Chips

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Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

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detalhes dos produtos

Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V SDRAM de baixa voltagem

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